Zobrazeno 1 - 10
of 423
pro vyhledávání: '"polycrystalline dielectric"'
Publikováno v:
In Computational Materials Science 1 June 2021 193
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
McKenna, K.P., Shluger, A.L.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2009 86(7):1751-1755
Autor:
A. A. Sorokin, I. V. Plotnikov, Kirill I. Rybakov, S. V. Egorov, A. G. Eremeev, Yu. V. Bykov, V. V. Kholoptsev
Publikováno v:
Radiophysics and Quantum Electronics. 61:787-796
Gyrotron systems operated at frequencies of 24 to 30 GHz with an output power of 3 to 15 kW have been used at the Institute of Applied Physics of the Russian Academy of Sciences for more than 20 years for the studies of high-temperature processes in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4365251b639bc85559322c6496e0b113
https://doi.org/10.1007/s11141-019-09936-3
https://doi.org/10.1007/s11141-019-09936-3
Publikováno v:
Computational Materials Science. 193:110404
Machine learning method has made rapid progress in current material computing science and has become a popular learning tool. In this work, machine learning models are employed to predict the electronic contribution of the polycrystalline dielectric
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6e9e3ba6ea22e89d32e9de08919f9722
https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2021.110404
https://doi.org/10.1016/j.commatsci.2021.110404
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Alexander L. Shluger, Keith P. McKenna
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 86:1751-1755
Grain boundaries have been implicated in current leakage and dielectric breakdown of CMOS devices. We calculate the electronic properties of oxygen vacancy defects near grain boundaries in the dielectric insulators MgO and HfO"2 using first principle
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::db78c47053ec5b9e9f2685511fd979ef
https://doi.org/10.1016/j.mee.2009.03.125
https://doi.org/10.1016/j.mee.2009.03.125
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 90568-90576 (2021)
In this work, a simulation methodology, whose inputs are Conductive Atomic Force Microscope (CAFM) experimental data, is proposed to evaluate the impact of nanoscale variability sources related to the polycrystallization of high-k dielectrics (i.e.,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/56b7601c4aed4bf89520d780db262f12
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.