Zobrazeno 1 - 10
of 85
pro vyhledávání: '"plasma implantation"'
Publikováno v:
Hydrogen, Vol 4, Iss 4, Pp 831-861 (2023)
Hydrogen storage is a key enabling technology for the extensive use of hydrogen as energy carrier. This is particularly true in the widespread introduction of hydrogen in car transportation. Indeed, one of the greatest technological barriers for such
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4bfd098d4b904f2bb6b53714460474b5
Autor:
Tomasz Bieniek, Romuald B. Beck, Andrzej Jakubowski, Grzegorz Głuszko, Piotr Konarski, Michał Ćwil
Publikováno v:
Journal of Telecommunications and Information Technology, Iss 3 (2023)
The goal of this work was to study nitrogen implantation from plasma with the aim of applying it in dual gate oxide technology and to examine the influence of the rf power of plasma and that of oxidation type. The obtained structures were examined by
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2848ffbfd9ec43f4ae7e5115d8f77103
Autor:
Tomasz Bieniek, Romuald B. Beck, Andrzej Jakubowski, Piotr Konarski, Michał Ćwil, Patrick Hoffmann
Publikováno v:
Journal of Telecommunications and Information Technology, Iss 3 (2023)
Experiments presented in this work are a summary of the study that examines the possibility of fabrication of oxynitride layers for Si structures by nitrogen implantation from rf plasma only or nitrogen implantation from rf plasma followed immediatel
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0aff8a3c5ad8405f9ed88ee059619063
Autor:
Gokhan Kurt, Melisa Ekin Gulseren, Gurur Salkim, Sertac Ural, Omer Ahmet Kayal, Mustafa Ozturk, Bayram Butun, Mehmet Kabak, Ekmel Ozbay
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 351-357 (2019)
A hybrid approach for obtaining normally off high electron mobility transistors (HEMTs) combining fluorine treatment, recess etch techniques, and AlGaN buffer was studied. The effects of process variations (recess etch depth and fluorine treatment du
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5f220c2dc96e4d1191d32b2a27c4b853
Publikováno v:
Proceedings: Mathematical, Physical and Engineering Sciences, 2018 Jul . 474(2215), 1-16.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/26583482
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sonia Haj-Khlifa, Sophie Nowak, Patricia Beaunier, Patricia De Rango, Michaël Redolfi, Souad Ammar-Merah
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 10, Iss 1, p 136 (2020)
An alternative route for metal hydrogenation has been investigated: cold plasma hydrogen implantation on polyol-made transition metal nanoparticles. This treatment applied to a challenging system, Ni−H, induces a re-ordering of the metal lattice, a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/62c81805003249ca8465d41e61ed3152
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mustafa Kemal Öztürk, Bayram Butun, Gokhan Kurt, Mehmet Kabak, Sertaç Ural, Ömer Ahmet Kayal, Melisa Ekin Gulseren, Gurur Salkim, Ekmel Ozbay
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 351-357 (2019)
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 7, Pp 351-357 (2019)
A hybrid approach for obtaining normally off high electron mobility transistors (HEMTs) combining fluorine treatment, recess etch techniques, and AlGaN buffer was studied. The effects of process variations (recess etch depth and fluorine treatment du
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3c2a57be25dd96f862b1632d63e6b6a2
https://aperta.ulakbim.gov.tr/record/72091
https://aperta.ulakbim.gov.tr/record/72091
