Zobrazeno 1 - 10
of 34
pro vyhledávání: '"parasitic modeling"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Electronics; Volume 12; Issue 1; Pages: 132
Designing millimeter-wave variable gain amplifiers (VGAs) is very challenging owing to the parasitic effects of the interconnects of both active and passive devices. An automated parasitic-aware optimization RF design tool is proposed in this paper t
Autor:
Sen, Padmanava
Millimeter-wave has been a medium for automotive, sensor, and defense applications for a long time. But, a fully integrated silicon-based transceiver at 60 GHz or higher frequencies has become the driving force for recent research activities in integ
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/1853/26585
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Bahman, A S, Blaabjerg, F, Dutta, A & Mantooth, A 2016, Electrical Parasitics and Thermal Modeling for Optimized Layout Design of High Power SiC Modules . in Proceedings of the 31st Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC) . IEEE, pp. 3012-3019, 2016 IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), Long Beach, United States, 20/03/2016 . https://doi.org/10.1109/APEC.2016.7468292
The reliability of power modules is closely depended on their electrical and thermal behavior in operation. As power modules are built to operate more integrated and faster, the electrical parasitic and thermal stress issues become more critical. Thi
Publikováno v:
IEEE Transactions on Power Electronics. 26:2788-2793
In this paper, a modeling methodology is validated based on an enhanced model of the diode, that we have developed to simulate substrate current coupling mechanisms on a typical H -bridge structure. An equivalent schematic based on an enhanced model
Publikováno v:
MIXDES
When designing in Smart Power technologies, TCAD simulations are mandatory to design effective passive protections against parasitic couplings due to minority carriers. The objective of this paper is to propose a spice-based approach to characterize
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
MIXDES
This paper presents an equivalent electrical circuit for one dimensional substrate minority carriers spice simulation. The electrical circuit parameters are extracted from substrate meshing applying the finite difference method. This model is derived