Zobrazeno 1 - 10
of 528
pro vyhledávání: '"parasitic inductance"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Dong Yun Jung, Kun Sik Park, Jong Il Won, Doohyung Cho, Sungkyu Kwon, Hyun Gyu Jang, Jong-Won Lim
Publikováno v:
Journal of Electromagnetic Engineering and Science, Vol 22, Iss 6, Pp 686-688 (2022)
This letter introduces a power limiter that limits the input power to protect the receiver when a large power enters the radio frequency receiver. When the power limiter receives a large power signal, a positive-intrinsic-negative (PIN) diode is turn
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/19e9076d3be44b3eb9cdb7ab52f45fdf
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Power Electronics, Vol 3, Pp 942-954 (2022)
In this paper, design of a low parasitic inductance T-type SiC-MOS/Si-IGBT hybrid module for PV inverters is studied. Current commutation loops and self- and mutual inductances model of the hybrid module are analyzed. Then stacked substrates structur
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c40a359f32ad4822b718dcae2ccf740f
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 10, Pp 117215-117224 (2022)
Among the wide-bandgap devices, gallium nitride high electron mobility transistors (GaN HEMTs) are contributing to the high power density technology of power conversion systems due to their excellent physical properties. In contrast, the driving volt
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2c62074775f548b8a92478ad81b9a168
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lu, Shengchang
Gallium nitride (GaN) high-electron-mobility transistors (HEMTs) are favored for their smaller specific on-resistance, lower switching losses, and higher theoretical temperature limits as compared to traditional silicon (Si) power switches. They have
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10919/110953
Autor:
Yi-Chun Huang, Ming-Dou Ker
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 881-890 (2021)
The integrated circuit (IC) products fabricated in the scaled-down CMOS processes with higher clock rate and lower power supply voltage (VDD) are more sensitive to the transient/switching noises on the power lines with the parasitic inductance induce
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7b0a7c7f13b54e98bd1720c7eb3bfb37
Publikováno v:
Gong-kuang zidonghua, Vol 46, Iss 8, Pp 44-50 (2020)
Parasitic parameters of LRC filter are easy to cause series-parallel self-resonance, which influences filter performance of restraining peak voltage and voltage change rate at motor side in mine-used inverter long-line transmission system, and even c
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9fbbe838939549479b568155bac22d29
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.