Zobrazeno 1 - 10
of 43
pro vyhledávání: '"parasitic channel"'
Autor:
Jie Gu, Qingzhu Zhang, Zhenhua Wu, Yanna Luo, Lei Cao, Yuwei Cai, Jiaxin Yao, Zhaohao Zhang, Gaobo Xu, Huaxiang Yin, Jun Luo, Wenwu Wang
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 35-39 (2022)
A new approach of narrowing sub-fin with little extra process cost for suppressing parasitic-channel-effect (PCE) on vertically-stacked horizontal gate-all-around (GAA) Si nanosheet field-effect-transistors (NS-FETs) is proposed. The proposed sub-fin
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/73ee45be99644d4d9707828aa66e46c7
Autor:
Khwang-Sun Lee, Jun-Young Park
Publikováno v:
Micromachines, Vol 13, Iss 3, p 432 (2022)
This paper proposes a simplified fabrication processing for nanosheet Field-Effect Transistors (FETs) part of beyond-3-nm node technology. Formation of the ground plane (GP) region can be replaced by an epitaxial grown doped ultra-thin (DUT) layer on
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/13d25002b9304a6b84bff5661b15bac8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Qingzhu Zhang, Jie Gu, Renren Xu, Lei Cao, Junjie Li, Zhenhua Wu, Guilei Wang, Jiaxin Yao, Zhaohao Zhang, Jinjuan Xiang, Xiaobin He, Zhenzhen Kong, Hong Yang, Jiajia Tian, Gaobo Xu, Shujuan Mao, Henry H. Radamson, Huaxiang Yin, Jun Luo
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 11, Iss 3, p 646 (2021)
In this paper, the optimizations of vertically-stacked horizontal gate-all-around (GAA) Si nanosheet (NS) transistors on bulk Si substrate are systemically investigated. The release process of NS channels was firstly optimized to achieve uniform devi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4eb68ad675b34284aee7a18723be2f36
Autor:
Zhenhua Wu, Yuwei Cai, Qingzhu Zhang, Jun Luo, Luo Yanna, Gaobo Xu, Zhaohao Zhang, Wenwu Wang, Jiaxin Yao, Lei Cao, Huaxiang Yin, Jie Gu
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 35-39 (2022)
A new approach of narrowing sub-fin with little extra process cost for suppressing parasitic-channel-effect (PCE) on vertically-stacked horizontal gate-all-around (GAA) Si nanosheet field-effect-transistors (NS-FETs) is proposed. The proposed sub-fin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::920051ffbd2bb8092d180b479b88eac6
https://doi.org/10.1109/jeds.2021.3130123
https://doi.org/10.1109/jeds.2021.3130123
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zhaohao Zhang, Hong Yang, Jiaxin Yao, Junjie Li, Jinjuan Xiang, Zhenhua Wu, Henry H. Radamson, Xiaobin He, Lei Cao, Huaxiang Yin, Renren Xu, Qingzhu Zhang, Guilei Wang, Gaobo Xu, Jie Gu, Zhenzhen Kong, Jun Luo, Shujuan Mao, Jiajia Tian
Publikováno v:
Nanomaterials
Volume 11
Issue 3
Nanomaterials, Vol 11, Iss 646, p 646 (2021)
Volume 11
Issue 3
Nanomaterials, Vol 11, Iss 646, p 646 (2021)
In this paper, the optimizations of vertically-stacked horizontal gate-all-around (GAA) Si nanosheet (NS) transistors on bulk Si substrate are systemically investigated. The release process of NS channels was firstly optimized to achieve uniform devi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1494ec74e80acc8f29946c2eb70703a8
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/33808024
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/33808024
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.