Zobrazeno 1 - 10
of 1 656
pro vyhledávání: '"p-type silicon"'
Publikováno v:
Materials for Renewable and Sustainable Energy, Vol 14, Iss 1, Pp 1-9 (2024)
Abstract In the current work, the effect of the surface phase structure of silicon wafer on the copper assisted chemical etching (Cu-ACE) behavior was investigated by adopting N-type monocrystal silicon with different thickness as raw material. An in
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e04c67313c614092a09a46614aa564f3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Andreas Schels, Florian Herdl, Matthias Hausladen, Dominik Wohlfartsstätter, Simon Edler, Michael Bachmann, Andreas Pahlke, Rupert Schreiner, Walter Hansch
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 11, p 2008 (2023)
Field emitter arrays (FEAs) are a promising component for novel vacuum micro- and nanoelectronic devices, such as microwave power amplifiers or fast-switching X-ray sources. However, the interrelated mechanisms responsible for FEA degradation and fai
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/df3428d131fd4b6bbec6e46233f1e725
Influence of Temperature on the Growth of Vertically Aligned ZnO Nanowires in Wet Oxygen Environment
Autor:
Basma ElZein, Numan Salah, Ahmad S. Barham, Ali Elrashidi, Mohammed Al Khatab, Ghassan Jabbour
Publikováno v:
Crystals, Vol 13, Iss 6, p 876 (2023)
The nanowires (NWs) of zinc oxide (ZnO) are developed effectively on an n-type silicon substrate through a seed zinc (Zn) layer by a wet oxidation technique. The growth is performed at different temperatures, 650, 750, and 850 °C, in a wet and rich
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b053937c7ea04c4d8d9bcff04d7e48a2
Autor:
R. B. Burlakov
Publikováno v:
Омский научный вестник, Vol 3 (171), Pp 86-91 (2020)
Way of the fabrication and results of studies of photoelectric features of photocell with two Schottky barrier opaque contacts Al-p-Si on one party of the silicon plate and ohmic silicide contact Ni2 Si-p-Si (or Pd2 Si-p-Si) situated on the oppo
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c86e4984133d4816ab2d4df96a3cd597
Autor:
R. B. Burlakov
Publikováno v:
Омский научный вестник, Vol 1 (169), Pp 62-66 (2020)
Way for the fabrication and results of studies of photoelectric features of twospectrum photocell with two Schottky barrier contacts Ti-p-Si on one party of the silicon plate and ohmic silicide contact NiSi-p-Si situated on the opposite party of t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1689a77736f34ca89cea48b54fb1289f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.