Zobrazeno 1 - 10
of 29
pro vyhledávání: '"p-type oxide semiconductors"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jueli Shi, Ethan A. Rubinstein, Weiwei Li, Jiaye Zhang, Ye Yang, Tien‐Lin Lee, Changdong Qin, Pengfei Yan, Judith L. MacManus‐Driscoll, David O. Scanlon, Kelvin H.L. Zhang
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 9, Iss 6, Pp n/a-n/a (2022)
Abstract Oxide semiconductors are key materials in many technologies from flat‐panel displays,solar cells to transparent electronics. However, many potential applications are hindered by the lack of high mobility p‐type oxide semiconductors due
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bdf6f3bb0cd14226a6070d7b230d58a5
Publikováno v:
Materials Research Express, Vol 10, Iss 8, p 082002 (2023)
Sol–gel processed thin-film transistors (TFTs) have emerged as a promising technology for next-generationelectronics. TFTs are widely used as switching devices in a various applications, like sensors, displays, memory, and logic circuits. The use o
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ca25cea8860e4e7587c49568399e1336
Autor:
Raquel Barros, Kachirayil J. Saji, João C. Waerenborgh, Pedro Barquinha, Luís Pereira, Emanuel Carlos, Rodrigo Martins, Elvira Fortunato
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 9, Iss 3, p 320 (2019)
This work reports on the role of structure and composition on the determination of the performances of p-type SnOx TFTs with a bottom gate configuration deposited by rf magnetron sputtering at room temperature, followed by a post-annealed step up to
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9ae51161c43c4fb1b690243e2dc4dfe2
Autor:
Shi, Jueli, Rubinstein, Ethan A, Li, Weiwei, Zhang, Jiaye, Yang, Ye, Lee, Tien-Lin, Qin, Changdong, Yan, Pengfei, MacManus-Driscoll, Judith L, Scanlon, David O, Zhang, Kelvin HL
Funder: Collaborative Innovation Center of Chemistry for Energy Materials; Id: http://dx.doi.org/10.13039/501100015054
Funder: Top‐notch Academic Programs Project of Jiangsu Higher Education Institutions
Oxide semiconductors are key mater
Funder: Top‐notch Academic Programs Project of Jiangsu Higher Education Institutions
Oxide semiconductors are key mater
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7d2f0d26a096044ae0cf0e58070c79b2
https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/332555
https://www.repository.cam.ac.uk/handle/1810/332555
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Raquel Barros, K. J. Saji, Rodrigo Martins, Luís Pereira, Emanuel Carlos, Elvira Fortunato, João C. Waerenborgh, Pedro Barquinha
Publikováno v:
Nanomaterials
Volume 9
Issue 3
Nanomaterials, Vol 9, Iss 3, p 320 (2019)
Volume 9
Issue 3
Nanomaterials, Vol 9, Iss 3, p 320 (2019)
This work reports on the role of structure and composition on the determination of the performances of p-type SnOx TFTs with a bottom gate configuration deposited by rf magnetron sputtering at room temperature, followed by a post-annealed step up to
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.