Zobrazeno 1 - 10
of 100 631
pro vyhledávání: '"p-n Junction"'
Autor:
Shizuya, K.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 110, 155437 (2024)
A p-n junction, induced in graphene by gating, works to contrast the edge states of electrons and holes on each side of it. In a magnetic field those edge states carry two species of persistent current, which are intimately tied to the edge-mode spec
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2411.01367
Autor:
Mallick, Md Mofasser1 (AUTHOR) mofasser.mallick@kit.edu, Franke, Leonard1 (AUTHOR), Hussein, Mohamed1,2,3 (AUTHOR), Rösch, Andres Georg1 (AUTHOR), Long, Zhongmin4 (AUTHOR), Eggeler, Yolita Maria4 (AUTHOR), Lemmer, Uli1,2 (AUTHOR) uli.lemmer@kit.edu
Publikováno v:
Small Science. Nov2024, Vol. 4 Issue 11, p1-8. 8p.
Autor:
Dobney, C. P., Nasir, A., See, P., Ford, C. J. B., Griffiths, J. P., Chen, C., Ritchie, D. A., Kataoka, M.
Publikováno v:
Semicond. Sci. Technol. 38 065001 (2023)
We have fabricated a device which includes two lateral p-n junctions on an n-type GaAs/Al$_{0.33}$Ga$_{0.67}$As heterostructure. A section of the n-type material has been converted to p-type by removing dopants and applying a voltage to a gate placed
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2408.08423
Autor:
Dadamirzaev, Muhammadjon G.1, Kosimova, Mamura O.1, Boydedayev, S. R.1 omamuraqosimova@gmail.com, Makhmudov, Azamat S.1
Publikováno v:
East European Journal of Physics. 2024, Issue 2, p372-379. 8p.
Publikováno v:
East European Journal of Physics, Iss 3, Pp 344-349 (2024)
In recent years, advances in optoelectronics and electronics have prioritized optimizing semiconductor device performance and reducing power consumption by modeling new semiconductor device geometries. One such innovative structure is the radial p-n
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/201fc82abc134b2ca3d868c064c04afa
Publikováno v:
In Applied Surface Science 15 March 2025 685
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
East European Journal of Physics, Iss 4 (2024)
This article elucidates the dependence of the ideality factor on both internal functional parameters and external factors in semiconductors at low temperatures. We have explored the influence of external factors such as temperature and external sourc
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ad1628e2a6db4d6f83a5bb49e6b4e50c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.