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pro vyhledávání: '"oxyde de silicium"'
Autor:
Trad, Fatme
Publikováno v:
Physique [physics]. Université de Lorraine, 2021. Français. ⟨NNT : 2021LORR0012⟩
In order to contribute to the in-depth understanding of doping at the nanoscale, we have studied the influence of the insertion of boron and phosphorus atoms on the optical and structural properties of silicon nanocrystals. Using the ultra-vacuum eva
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::be2e5e63b6cc92b072d072d9eeb79d81
https://hal.univ-lorraine.fr/tel-03274111
https://hal.univ-lorraine.fr/tel-03274111
Autor:
Demoulin, Rémi
La modification des propriétés optiques et électriques du silicium apportée par la réduction en taille, notamment due aux effets de confinement quantique des porteurs de charges, est aujourd'hui bien connue et a permis le développement de nouve
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2019NORMR086/document
Autor:
DEMOULIN, Rémi
Publikováno v:
Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]. Normandie Université, 2019. Français. ⟨NNT : 2019NORMR086⟩
The change of silicon optical and electrical properties induced by size reduction, due to the quantum confinement of charged carriers, is a well-known effect and allowed to develop new optoelectronic devices. As in bulk silicon, doping should allow t
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::a7675d0f5cc0fc4e4292660278f62d12
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02462570
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02462570
Autor:
Geiskopf, Sébastien
Ce travail de thèse concerne l’étude des propriétés structurales et optiques de films minces de SiP et d’oxyde de silicium riches en phosphore. Dans les films de Si riches en phosphore recuits à 1100˚C, la formation de cristallites de SiP c
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2019LORR0024/document
Autor:
Geiskopf, Sébastien
Publikováno v:
Physique [physics]. Université de Lorraine, 2019. Français. ⟨NNT : 2019LORR0024⟩
This thesis concerns the study of the structural and optical properties of SiP and phosphorus rich silicon oxide thin films. In phosphorus rich Si films annealed at 1100˚C, the formation of SiP crystallites coexisting with Si polycrystals is observe
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::cf806dbe03544389c1996b79470e6045
https://hal.univ-lorraine.fr/tel-02132745
https://hal.univ-lorraine.fr/tel-02132745
Dépôt de films d'oxyde de silicium par vaporisation sous vide : dynamique moléculaire et expériences
Autor:
Gelin, Simon
Les films de silice dont sont constitués les traitements antireflets des verres de lunettes sont déposés par vaporisation au canon à électrons, à température ambiante. Ils sont le siège de fortes contraintes résiduelles compressives qui dimi
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2016PESC1117/document
Autor:
Mathur, Shashank
L'oxyde de silicium est un composé très largement abondant qui existe sous différentes phases, cristallines ou amorphes, qui se présentent sous la forme de structures poreuses ou de films minces. Il s'agit d'un diélectrique traditionnel pour la
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http://www.theses.fr/2016GREAY019/document
Autor:
Bazinette, Rémy
Les décharges contrôlées par barrière diélectrique (DBD) homogènes à pression atmosphérique sont une alternative pour réaliser des couches minces sur de grandes surfaces, en continu, sans système de pompage. La physique de ces décharges to
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2016PAUU3009/document
Autor:
Gelin, Simon
Publikováno v:
164 p
Matériaux. Université Paris-Est, 2016. Français. ⟨NNT : 2016PESC1117⟩
Matériaux. Université Paris-Est, 2016. Français. ⟨NNT : 2016PESC1117⟩
Silica thin films are widely used as low index layers in antireflective coatings. In the ophthalmic industry, they are deposited at ambient temperature, by electron beam vaporization. This process generates large compressive stresses which make the c
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e4a645579852ec47b7d5f16fd29868a1
http://madis-externe.ifsttar.fr/exl-php/oaidoc/tel-01459287.html
http://madis-externe.ifsttar.fr/exl-php/oaidoc/tel-01459287.html
Autor:
Mathur, Shashank
Publikováno v:
Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]. Université Grenoble Alpes, 2016. English. ⟨NNT : 2016GREAY019⟩
Silicon oxide is a widely abundant compound existing in various forms from amorphous to crystalline, bulk to porous and thin films. It is a common dielectric in microelectronics and widely used host for nanoparticles in heterogenous catalysis. Its am
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::9f61c74815c9a44ab4ddff4e5f49cd49
https://theses.hal.science/tel-01486932v2
https://theses.hal.science/tel-01486932v2