Zobrazeno 1 - 10
of 94
pro vyhledávání: '"oxide of silicon"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Surfaces, Vol 4, Iss 1, Pp 81-88 (2021)
The surface functionalization of oxide-free hydrogen-terminated silicon (Si−H) enables predictably tuning its electronic properties, by incorporating tailored functionality for applications such as photovoltaics, biosensing and molecular electronic
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/44d6d18572f84988af38902cefa0ba70
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Biomedicinskaâ Inženeriâ i Èlektronika, Vol 4, Iss 18 (2017)
The article describes the technological processes for manufacturing high-voltage diodes, varicaps and Schottky diodes using layers of porous anodic oxide of silicon. It is shown that the growth features of anodic oxide of silicon at an increased volt
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/88723df582f64f899987d98449767dc7
Autor:
Samir A. Maki, Zainab S. AbdulRidha
Publikováno v:
Ibn Al-Haitham Journal for Pure and Applied Sciences, Vol 27, Iss 3 (2017)
The fabricated Photodetector n-CdO /-Si factory thin films Altboukaraharara spatial silicon multi- crystallization of the type (n-Type) the deposition of a thin film of cadmium and at room temperature (300K) and thickness (300 ± 20nm) and the time
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5299f8291ceb4cd592813f974408a956
Publikováno v:
Surfaces, Vol 4, Iss 10, Pp 81-88 (2021)
Surfaces
Volume 4
Issue 1
Pages 10-88
Surfaces
Volume 4
Issue 1
Pages 10-88
The surface functionalization of oxide-free hydrogen-terminated silicon (Si−H) enables predictably tuning its electronic properties, by incorporating tailored functionality for applications such as photovoltaics, biosensing and molecular electronic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::aee0b33dd0b273fdbd316242460bac7e
https://doi.org/10.3390/surfaces4010010
https://doi.org/10.3390/surfaces4010010
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.