Zobrazeno 1 - 10
of 90
pro vyhledávání: '"one-transistor dynamic random access memory"'
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 2, p 179 (2024)
In this paper, we propose for the first time a self-refreshing mechanism in a junctionless field-effect transistor (JLFET) based on one-transistor dynamic random-access memory (1T-DRAM) with a silicon-on-insulator (SOI) structure. The self-refreshing
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/df6dee22da8e4a5688194e0000d61274
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 13-18 (2022)
The ferroelectric-metal field-effect transistor with recessed channel (RC-FeMFET) is proposed for one transistor dynamic random-access memory (1T-DRAM). Through technology computer-aided design (TCAD) simulations, the effects of inter-metal insertion
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/47bffcb04a9d4854a9eb857680f5a401
Autor:
Sang Ho Lee, Won Douk Jang, Young Jun Yoon, Jae Hwa Seo, Hye Jin Mun, Min Su Cho, Jaewon Jang, Jin-Hyuk Bae, In Man Kang
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 50281-50290 (2021)
In this work, a capacitorless one-transistor dynamic random access memory (1T-DRAM) based on a polycrystalline silicon (poly-Si) metal–oxide–semiconductor field-effect transistor was designed and analyzed through a technology computer-aided desig
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7d5735572be84b6daa38b0f88d5b7953
Autor:
Jin Park, Sang-Ho Lee, Ga-Eon Kang, Jun-Hyeok Heo, So-Ra Jeon, Min-Seok Kim, Seung-Ji Bae, Jeong-Woo Hong, Jae-won Jang, Jin-Hyuk Bae, Sin-Hyung Lee, In-Man Kang
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 13, Iss 13, p 2026 (2023)
In this study, a capacitorless one-transistor dynamic random-access memory (1T-DRAM), based on polycrystalline silicon (poly-Si) nanotube structure with a grain boundary (GB), is designed and analyzed using technology computer-aided design (TCAD) sim
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/27c604c3ae4e4933a8d74bcfe3e70e37
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 6, p 1138 (2023)
Challenges in scaling dynamic random-access memory (DRAM) have become a crucial problem for implementing high-density and high-performance memory devices. Feedback field-effect transistors (FBFETs) have great potential to overcome the scaling challen
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/dd6fbd9d96d146ba99d2022bb4d8b7ad
Autor:
Jin Park, Min Su Cho, Sang Ho Lee, Hee Dae An, So Ra Min, Geon Uk Kim, Young Jun Yoon, Jae Hwa Seo, Sin-Hyung Lee, Jaewon Jang, Jin-Hyuk Bae, In Man Kang
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 163675-163685 (2021)
In this study, a capacitorless one-transistor dynamic random-access memory (1T-DRAM) based on a polycrystalline silicon nanotube structure with a grain boundary (GB) is designed and analyzed using technology computer-aided design (TCAD) simulation. T
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5ccd72a798794e9ea26e6f74c9a37d5d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 12, Iss 10, p 1209 (2021)
A capacitorless one-transistor dynamic random-access memory device (1T-DRAM) is proposed to resolve the scaling problem in conventional one-transistor one-capacitor random-access memory (1T-1C-DRAM). Most studies on 1T-DRAM focus on device-level oper
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7880077ea0d84f2b98d7a06efb0e8598
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.