Zobrazeno 1 - 10
of 24
pro vyhledávání: '"on-chip lasers"'
Publikováno v:
Photonics, Vol 11, Iss 3, p 212 (2024)
With the growing trend in the information industry, silicon photonics technology has been explored in both academia and industry and utilized for high-bandwidth data transmission. Thanks to the benefits of silicon, such as high refractive index contr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/08f2d59d4d2d4c43899e194b5f516574
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 13, Iss 23, p 3069 (2023)
Owning to merits such as bandgap tunability, solution processability, large absorption coefficients, and high photoluminescence quantum yields, colloidal quantum dots (CQDs) emerged as a promising gain material to make on-chip micro/nanoscale lasers
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/060f4eecbf234396bd2351d233c7336f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
David G. Lancaster, Nicolas Bourbeau Hébert, Jérôme Genest, Philippe Guay, Vincent Michaud-Belleau
Publikováno v:
Optics express. 27(23)
A guided-wave chip laser operating in a single longitudinal mode at 2860 nm is presented. The cavity was set in the Littman-Metcalf configuration to achieve single-frequency operation with a side-mode suppression ratio above 33 dB. The chip laser's 2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Donguk Nam
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials.
In this talk, we discuss our recent efforts on the development of strain-engineered group IV lasers for their use in photonic-integrated circuits. Ministry of Education (MOE) National Research Foundation (NRF) Published version This work was supporte
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.