Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"off-state gate bias stress"'
Publikováno v:
Energies, Vol 13, Iss 10, p 2628 (2020)
We present a detailed study of dynamic switching instability and static reliability of a Gallium Nitride (GaN) Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility-Transistor (MIS-HEMT) based cascode switch under off-state (negative bias) Gate bias s
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/49250c68f0514e8baa27d6c83c011ca6
Publikováno v:
Energies, Vol 13, Iss 2628, p 2628 (2020)
Energies; Volume 13; Issue 10; Pages: 2628
Energies; Volume 13; Issue 10; Pages: 2628
We present a detailed study of dynamic switching instability and static reliability of a Gallium Nitride (GaN) Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility-Transistor (MIS-HEMT) based cascode switch under off-state (negative bias) Gate bias s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::442368a2cce3cf50a9d3a52bcb95eff6
https://www.mdpi.com/1996-1073/13/10/2628
https://www.mdpi.com/1996-1073/13/10/2628
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.