Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"off-state gate bias stress"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Energies, Vol 14, Iss 8, p 2170 (2021)
In this study, we investigate the degradation characteristics of E-mode GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) with a p-GaN gate by designed pulsed and prolonged negative gate (VGS) bias stress. Device transfer and transconductance, output, a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3a0e475b30e3477a864d145987df7239
Publikováno v:
Energies; Volume 14; Issue 8; Pages: 2170
Energies, Vol 14, Iss 2170, p 2170 (2021)
Energies, Vol 14, Iss 2170, p 2170 (2021)
In this study, we investigate the degradation characteristics of E-mode GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) with a p-GaN gate by designed pulsed and prolonged negative gate (VGS) bias stress. Device transfer and transconductance, output, a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::656945cfed0a5ffc86139de5f9693de3
Publikováno v:
Energies, Vol 13, Iss 10, p 2628 (2020)
We present a detailed study of dynamic switching instability and static reliability of a Gallium Nitride (GaN) Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility-Transistor (MIS-HEMT) based cascode switch under off-state (negative bias) Gate bias s
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/49250c68f0514e8baa27d6c83c011ca6
Publikováno v:
Energies, Vol 13, Iss 2628, p 2628 (2020)
Energies; Volume 13; Issue 10; Pages: 2628
Energies; Volume 13; Issue 10; Pages: 2628
We present a detailed study of dynamic switching instability and static reliability of a Gallium Nitride (GaN) Metal-Insulator-Semiconductor High-Electron-Mobility-Transistor (MIS-HEMT) based cascode switch under off-state (negative bias) Gate bias s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::442368a2cce3cf50a9d3a52bcb95eff6
https://www.mdpi.com/1996-1073/13/10/2628
https://www.mdpi.com/1996-1073/13/10/2628
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IFAC-PapersOnLine; January 2022, Vol. 55 Issue: 27 p282-286, 5p
Autor:
Wang, Hsiang-Chun1,2,3 (AUTHOR) r3287133@gmail.com, Liu, Chia-Hao3 (AUTHOR) gain525252@gmail.com, Huang, Chong-Rong3 (AUTHOR) h27024007@gmail.com, Shih, Min-Hung3 (AUTHOR) snoopy@mail.cgu.edu.tw, Chiu, Hsien-Chin3,4 (AUTHOR) hcchiu@mail.cgu.edu.tw, Kao, Hsuan-Ling3,4 (AUTHOR), Liu, Xinke2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Materials (1996-1944). May2022, Vol. 15 Issue 10, p3503-3503. 7p.
Autor:
Živanović, Emilija, Veljković, Sandra, Mitrović, Nikola, Jovanović, Igor, Djorić-Veljković, Snežana, Paskaleva, Albena, Spassov, Dencho, Danković, Danijel
Publikováno v:
Micromachines; Apr2024, Vol. 15 Issue 4, p503, 15p
Autor:
Wang, Rui, Guo, Hui, Hou, Qianyu, Lei, Jianming, Wang, Jin, Xue, Junjun, Liu, Bin, Chen, Dunjun, Lu, Hai, Zhang, Rong, Zheng, Youdou
Publikováno v:
Micromachines; Jul2022, Vol. 13 Issue 7, pN.PAG-N.PAG, 10p