Zobrazeno 1 - 10
of 17
pro vyhledávání: '"nonvolatile resistive switching"'
Autor:
Aishani Mazumder, Taimur Ahmed, Edwin Mayes, Sherif Abdulkader Tawfik, Salvy P. Russo, Mei Xian Low, Abhishek Ranjan, Sivacarendran Balendhran, Sumeet Walia
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 8, Iss 4, Pp n/a-n/a (2022)
Abstract 2D materials are increasingly being investigated for their nonvolatile switching properties as a step toward downscaling of core electronic elements. Here, the interplay between electrochemically active silver (Ag) cations and layered indium
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/36d20ea99136496daeeadabb936325c4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Aykut Turfanda, Max C. Lemme, Thorsten Wahlbrink, Melkamu Belete, Satender Kataria, Olof Engström, Sam Vaziri
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials
Advanced electronic materials 6(3), 1900892 (2020). doi:10.1002/aelm.201900892
Advanced electronic materials 6(3), 1900892 (2020). doi:10.1002/aelm.201900892
Non-volatile resistive switching is demonstrated in memristors with nanocrystalline molybdenum disulfide (MoS2) as the active material. The vertical heterostructures consist of silicon (Si), vertically aligned MoS2, and chrome/gold metal electrodes.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0d49f0f2abe3b1d60b2c19bfe331291b
https://zenodo.org/record/3690214
https://zenodo.org/record/3690214
Autor:
Kataria, Satender, Turfanda, Aykut, Vaziri, Sam, Wahlbrink, Thorsten, Engström, Olof, Lemme, Max Christian
Advanced electronic materials 1900892 (2020). doi:10.1002/aelm.201900892
Published by Wiley, Chichester
Published by Wiley, Chichester
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::28bccfd1aa6dd57735d8d329613bbbb7
Publikováno v:
Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.). 22(45)
Magnetic nanocomposite multilayers including magnetic nanoparticles are prepared using a nucleophilic substitution reaction between 2-bromo-2-methylpropionic acid (-BMPA) and amino (-NH2) groups. The assembly of magnetic nanoparticles in a nonpolar s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::af64edadcb53794e92ce7141e1c639a8
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/20941792
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/20941792