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Autor:
Zimprich, Martin
Zielsetzung der vorliegenden Arbeit war die Optimierung Ga(NAsP)-basierter Laserstrukturen auf Si-Substrat und der dafür erforderlichen Materialien. Die maximale Betriebstemperatur solcher Strukturen lag bisher bei 160 K, jedoch wird durch Steigerun
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od________13::2a0e9858350777de307f5855cc322e63
http://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2013/0726
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Autor:
Oberhoff, Stefan
Die Zielsetzung dieser Arbeit bestand darin, Strukturbildungsprozesse in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-basierten Materialsystemen aufzuklären, wobei mit Hilfe von hochselektiven Ätzverfahren innere Grenzflächen freigelegt und rasterkraftmikro
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::52295bfb3b91dd0d8605e228738d7b75
http://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2008/0070
http://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2008/0070
Autor:
Kuznetsova, Irina
Das Ziel dieser Dissertation ist die Interpretation von Daten, die mit der kürzlich entwickelten optischen zweidimensionalen Fourier-Transform-Spektroskopie (2D-FTS),angewandt auf Halbleiter-Nanostrukturen, gewonnen wurden. Dies erfordert eine Analy
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::52286bdc346cecc9ec52714be6aeb26a
http://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2007/0761
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Autor:
Bozsoki, Peter
In this thesis the quantum optical properties of disordered semiconductors have been investigated. After merging together the latest results of two different fields, namely semiconductor optics and disordered semiconductors, we were able to describe
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::36a5e1986bd7154c607292085644ac53
http://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2005/0439
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Autor:
Reichelt, Matthias
Gegenstand der vorliegenden Arbeit ist die Licht-Materie-Wechselwirkung in raeumlich inhomogenen Halbleiterstrukturen. In den Kapiteln 2, 3 und 4 werden grundlegende Eigenschaften herausgearbeitet, die dadurch entstehen, dass die untersuchten Systeme
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e7e8d643df8a786f9c583b2135002ee1
http://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2005/0123
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Autor:
Gőgh, Noémi
Zunächst werden zwei alternative Methoden zur Berechnung exzitonischer Spektren ungeordneter Halbleiter verglichen: Die Methode der Bewegungsgleichungen für die über Unordnungskonfigurationen gemittelte optische Polarisation sowie ein Ortsraum-Tig
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4c4ed6546faf872c6ab65b15b9321a78