Zobrazeno 1 - 10
of 4 909
pro vyhledávání: '"nonlinear design"'
Autor:
Ladbrooke, Peter H.
Despite its continuing popularity, the so-called standard circuit model of compound semiconductor field-effect transistors (FETs) and high electron mobility transistors (HEMTs) is shown to have a limitation for nonlinear analysis and design: it is va
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Engineering Structures 15 May 2023 283
Publikováno v:
In Computer Methods in Applied Mechanics and Engineering 1 July 2022 397
Publikováno v:
Archnet-IJAR: International Journal of Architectural Research, 2022, Vol. 16, Issue 3, pp. 637-652.
Externí odkaz:
http://www.emeraldinsight.com/doi/10.1108/ARCH-12-2021-0367
Autor:
Jing, Xingjian1 (AUTHOR) xingjing@cityu.edu.hk
Publikováno v:
Applied Mathematics & Mechanics. Jul2022, Vol. 43 Issue 7, p979-1000. 22p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.