Zobrazeno 1 - 10
of 34
pro vyhledávání: '"non-volatile RAM"'
Autor:
Thien An Nguyen, Jaejin Lee
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 114071-114079 (2023)
Spin-torque-transfer magnetic random access memory (STT-MRAM) has recently emerged as a promising technology to replace dynamic random access memory (DRAM). However, STT-MRAM faces challenges due to process variations and thermal fluctuations, result
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cc6b3314826d49088b6a7f2f0fe0dee2
Autor:
Thien An Nguyen, Jaejin Lee
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 33005-33013 (2023)
In non-volatile random-access memory (RAM) technologies, the spin-torque transfer magnetic random-access memory (STT-MRAM) is a promising candidate. STT-MRAM has attracted attention owing to its advantages, such as a high density, high endurance, and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b9544ac176174c129cc5d28e11142143
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Безопасность информационных технологий, Vol 21, Iss 3 (2014)
The article discusses vulnerabilities of computer aids based on existing RAM and mechanisms for restricting exploitation of such vulnerabilities. In addition, the article discusses features and work methods of different RAM.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8c7af2837be64bf28d8e4ebce2261491
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IOLTS
2018 IEEE 24th International Symposium on
Testing And Robust System Design (IOLTS)
IOLTS 2018-IEEE 24th International Symposium on
Testing And Robust System Design
Testing And Robust System Design, Jul 2018, Platja d'Aro, Spain. pp.109-114, ⟨10.1109/IOLTS.2018.8474226⟩
Testing And Robust System Design (IOLTS), Jul 2018, Platja d'Aro, Spain
2018 IEEE 24th International Symposium on
Testing And Robust System Design (IOLTS)
IOLTS 2018-IEEE 24th International Symposium on
Testing And Robust System Design
Testing And Robust System Design, Jul 2018, Platja d'Aro, Spain. pp.109-114, ⟨10.1109/IOLTS.2018.8474226⟩
Testing And Robust System Design (IOLTS), Jul 2018, Platja d'Aro, Spain
International audience; The emergence of non-volatile random access memory technologies, such as resistive and spintronic RAMs are triggering intense interdisciplinary activity. These technologies have the potential of providing many benefits, such a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7f3857e8bb51c0fe1138909646d63282
https://doi.org/10.1109/iolts.2018.8474226
https://doi.org/10.1109/iolts.2018.8474226
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.