Zobrazeno 1 - 10
of 408
pro vyhledávání: '"non-vacuum"'
Autor:
Chandan Yadav, Sushil Kumar
Publikováno v:
Results in Surfaces and Interfaces, Vol 14, Iss , Pp 100210- (2024)
A brief review on history, progress and development of perovskite solar cells fabricated via conventional solution based deposition methods and vacuum based deposition method is discussed in the present article. Working principle and functioning of l
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/41e806d63dae4ee7a289a209ae35d6bf
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 421-425 (2023)
This work reports record-high three-terminal on-state drain-source breakdown voltage $(BV_{DS})$ of −735 V in p-channel GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors (MOS-HFETs) with a drain field-plate (DFP). High-k and wi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8bf1891360e8421eb672a4748a8a7521
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 256-261 (2023)
This work investigates, for the first time, wide-gap Al0.21Ga0.79N channel metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors (MOS-HFETs) with In0.12Al0.76Ga0.12N barrier/buffer and drain field-plate (DFP) designs. High-k and wide-gap
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/32d57cba5e4a4109afc9f96437d4b0f2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bruna F. Gonçalves, Viviana Sousa, José Virtuoso, Evgeny Modin, Oleg I. Lebedev, Gabriela Botelho, Sascha Sadewasser, Laura M. Salonen, Senentxu Lanceros-Méndez, Yury V. Kolen’ko
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 13, Iss 13, p 1920 (2023)
During the last few decades, major advances have been made in photovoltaic systems based on Cu(In,Ga)Se2 chalcopyrite. However, the most efficient photovoltaic cells are processed under high-energy-demanding vacuum conditions. To lower the costs and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/921f47d8583a410086fb4eabcb4cc22e
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 1003-1008 (2021)
Widegap-channel Al0.65Ga0.35N/Al0.3Ga0.7N/AlN/SiC metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors (MOS-HFETs) with ultrasonic spray pyrolysis deposition (USPD) grown Al2O3 gate-oxide demonstrating enhancement-mode (E-mode) operatio
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/103530f8aa1f40ad9108068d3e36fed6
Publikováno v:
In Materials Letters 1 March 2025 382
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 9-14 (2020)
Novel Al0.75Ga0.25N/AlxGa1-xN/Al0.75Ga0.25N/AlN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors (MOS-HFETs) with symmetrically-graded widegap AlxGa1-xN channel (x = 0.75 → 0.25 → 0.75) grown on a SiC substrate are investigated.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/812282a59cad4d8c953ba22fe3bd85cf