Zobrazeno 1 - 10
of 892
pro vyhledávání: '"non-linear capacitance"'
Autor:
Manuel Escudero, Matteo-Alessandro Kutschak, Nico Fontana, Noel Rodriguez, Diego Pedro Morales
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 8, Pp 116117-116131 (2020)
The parasitic capacitances of modern Si SJ MOSFETs are characterized by their non-linearity. At high voltages the total stored energy Eoss(VDC) in the output capacitance Coss(v) differs substantially from the energy in an equivalent linear capacitor
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0db95f32e4944c30b53e06e34a8373b8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Digibug: Repositorio Institucional de la Universidad de Granada
Universidad de Granada (UGR)
IEEE Access, Vol 8, Pp 116117-116131 (2020)
Digibug. Repositorio Institucional de la Universidad de Granada
instname
Universidad de Granada (UGR)
IEEE Access, Vol 8, Pp 116117-116131 (2020)
Digibug. Repositorio Institucional de la Universidad de Granada
instname
The parasitic capacitances of modern Si SJ MOSFETs are characterized by their non-linearity. At high voltages the total stored energy Eoss(VDC) in the output capacitance Coss(v) differs substantially from the energy in an equivalent linear capacitor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a91556f2809c805800b82d9eb5ad1535
http://hdl.handle.net/10481/64345
http://hdl.handle.net/10481/64345
Autor:
Minekawa, A., Abe, T., Inoshita, A., Iizuka, T., Kakehata, S., Narui, Y., Koike, T., Kamiya, K., Okamura, H.-O., Shinkawa, H., Ikeda, K.
Publikováno v:
In Neuroscience 15 December 2009 164(3):1312-1319
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Scientific Reports
Scientific Reports, Vol 9, Iss 1, Pp 1-9 (2019)
Scientific Reports, Vol 9, Iss 1, Pp 1-9 (2019)
We show that the non-linear positive capacitance (PC) of ferroelectrics (FE) can explain the steep subthreshold-slope (SS) observed in FE based MOSFETs and often attributed to the existence of a negative capacitance in FE capacitors. Physically attai
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fceb2101129b642f752f5cfeb28a4dc8
https://lirias.kuleuven.be/handle/20.500.12942/700813
https://lirias.kuleuven.be/handle/20.500.12942/700813
Autor:
Mahapatra, S., Pillai, N.S.
Publikováno v:
International Journal of Electronics. Oct72, Vol. 33 Issue 4, p413. 13p. 3 Diagrams, 3 Graphs.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
The European Physical Journal Plus. 131
In this paper we derive a non-linear polarization electric field relationship in a dielectric by considering harmonics binding of the electrons to its nuclei. We apply this theory to a transmission line to model the non-linear, inhomogeneous frequenc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a6d858f535c1ce2f154a9c05375f8a51
https://doi.org/10.1140/epjp/i2016-16159-6
https://doi.org/10.1140/epjp/i2016-16159-6