Zobrazeno 1 - 10
of 16 865
pro vyhledávání: '"noise margin"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Discover Nano, Vol 19, Iss 1, Pp 1-13 (2024)
Abstract In this paper, we propose the use of punch-through nMOS (PTnMOS) as an alternative to pMOS in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) circuits. According to the TCAD simulation results, PTnMOS exhibit sub-threshold characteristics sim
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/655f6d38402049bc9b4163df7f0e27de
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zhiqiang Liao, Siyi Tang, Md Shamim Sarker, Hiroyasu Yamahara, Munetoshi Seki, Hitoshi Tabata
Publikováno v:
Advanced Physics Research, Vol 3, Iss 7, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract Gain‐dissipative Ising machines (GIMs) are annealers inspired by physical systems such as Ising spin glasses to solve combinatorial optimization problems. Compared to traditional quantum annealers, GIM is relatively easier to scale and can
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8b323e2729734501b8f72d252b6f0d1b
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 7540-7550 (2024)
Currently, wide bandgap (WBG) power semiconductor devices such as low-resistance SiC MOSFETs and GaN HEMTs are being utilized extensively to achieve high efficiency. However, securing a sufficient margin voltage between the drain–source sensing vol
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5ef7d0c3da7e402393b7ba4cb6c12e2d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.