Zobrazeno 1 - 10 of 49 pro vyhledávání: '"nitrided Si(111)"'
1
Akademický článek
Growth of Catalyst-Free Hexagonal Pyramid-Like InN Nanocolumns on Nitrided Si(111) Substrates via Radio-Frequency Metal–Organic Molecular Beam Epitaxy
Autor: Wei-Chun Chen, Tung-Yuan Yu, Fang-I Lai, Hung-Pin Chen, Yu-Wei Lin, Shou-Yi Kuo
Publikováno v: Crystals, Vol 9, Iss 6, p 291 (2019)
Hexagonal pyramid-like InN nanocolumns were grown on Si(111) substrates via radio-frequency (RF) metal−organic molecular beam epitaxy (MOMBE) together with a substrate nitridation process. The metal−organic precursor served as a group-III source
Externí odkaz: https://doaj.org/article/6108277feaa94ab0af364330e1543569
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Pre-nitridation induced In incorporation in InxGa1-xN nanorods on Si(111) grown by molecular beam epitaxy.
Autor: De, Arpan, Tangi, Malleswararao, Shivaprasad, S. M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 118 Issue 2, p025301-1-025301-6, 6p, 1 Black and White Photograph, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Epitaxial Growth of GaN Films on Chemical-Vapor-Deposited 2D MoS 2 Layers by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy.
Autor: Susanto, Iwan, Liu, Hong-Shan, Ho, Yen-Ten, Yu, Ing-Song
Publikováno v: Nanomaterials (2079-4991); Apr2024, Vol. 14 Issue 8, p732, 15p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
A RHEED investigation of self-assembled GaN nanowire nucleation dynamics on bare Si and on Si covered with a thin AlN buffer layer.
Autor: Hestroffer, Karine, Daudin, Bruno
Publikováno v: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters; Oct2013, Vol. 7 Issue 10, p835-839, 5p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Structural and Morphological Properties of Hybrid Heterostructures Based on GaN Grown on a Compliant por-Si(111) Substrate.
Autor: Seredin, P. V.1,2 (AUTHOR) paul@phys.vsu.ru, Goloshchapov, D. L.1 (AUTHOR), Zolotukhin, D. S.1 (AUTHOR), Lenshin, A. S.1 (AUTHOR), Mizerov, A. M.3 (AUTHOR) andreymizerov@rambler.ru, Arsentyev, I. N.4 (AUTHOR) arsentyev@mail.ioffe.ru, Leiste, Harald5 (AUTHOR), Rinke, Monika5 (AUTHOR)
Publikováno v: Semiconductors. Aug2019, Vol. 53 Issue 8, p1120-1130. 11p.
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Photoelectric Properties of GaN Layers Grown by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy on Si(111) Substrates and SiC/Si(111) Epitaxial Layers.
Autor: Kukushkin, S. A.1,2,3 (AUTHOR) sergey.a.kukushkin@gmail.com, Mizerov, A. M.4 (AUTHOR), Grashchenko, A. S.1 (AUTHOR), Osipov, A. V.1,2 (AUTHOR), Nikitina, E. V.4 (AUTHOR), Timoshnev, S. N.4 (AUTHOR), Bouravlev, A. D.4 (AUTHOR), Sobolev, M. S.4 (AUTHOR)
Publikováno v: Semiconductors. Feb2019, Vol. 53 Issue 2, p180-187. 8p.
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Formation of a Graphene-Like SiN Layer on the Surface Si(111).
Autor: Mansurov, V. G.1 mansurov@isp.nsc.ru, Galitsyn, Yu. G.1, Malin, T. V.1, Teys, S. A.1, Fedosenko, E. V.1, Kozhukhov, A. S.1, Zhuravlev, K. S.1,2, Cora, Ildikó3, Pécz, Béla3
Publikováno v: Semiconductors. Dec2018, Vol. 52 Issue 12, p1511-1517. 7p.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje