Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"neuron mimicking device"'
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 11, Iss 6, p 1401 (2021)
Large device variation is a fundamental challenge for resistive random access memory (RRAM) array circuit. Improved device-to-device distributions of set and reset voltages in a SiNx RRAM device is realized via arsenic ion (As+) implantation. Besides
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7c4efbe77af540c38f9534c7ac8fed4f
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 11, Iss 1401, p 1401 (2021)
Nanomaterials
Volume 11
Issue 6
Nanomaterials
Volume 11
Issue 6
Large device variation is a fundamental challenge for resistive random access memory (RRAM) array circuit. Improved device-to-device distributions of set and reset voltages in a SiNx RRAM device is realized via arsenic ion (As+) implantation. Besides
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ff99f8a439558673a8d30a5b33079ac4
https://www.mdpi.com/2079-4991/11/6/1401
https://www.mdpi.com/2079-4991/11/6/1401
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.