Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"neuromorphic simulation"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Donguk Kim, Hee Jun Lee, Tae Jun Yang, Woo Sik Choi, Changwook Kim, Sung-Jin Choi, Jong-Ho Bae, Dong Myong Kim, Sungjun Kim, Dae Hwan Kim
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 12, Iss 20, p 3582 (2022)
In this article, we study the post-annealing effect on the synaptic characteristics in Pd/IGZO/SiO2/p+-Si memristor devices. The O-H bond in IGZO films affects the switching characteristics that can be controlled by the annealing process. We propose
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/14749cd96a504464be18e4499a50e777
Publikováno v:
Metals, Vol 11, Iss 5, p 772 (2021)
This work demonstrates the synaptic properties of the alloy-type resistive random-access memory (RRAM). We fabricated the HfAlOx-based RRAM for a synaptic device in a neuromorphic system. The deposition of the HfAlOx film on the silicon substrate was
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/997c25ae15384333a1dfe349ee0c3b55
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.