Zobrazeno 1 - 10
of 4 784
pro vyhledávání: '"neuromorphic applications"'
Thin film ferroelectric devices with ultralow power operation, non-volatile data retention and fast and reliable switching are attractive for non-volatile memory and as synaptic weight elements. However, low thermal budget ferroelectric oxides suffer
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2412.11288
Introducing foreign ions, atoms, or molecules into emerging functional materials is crucial for manipulating material physical properties and innovating device applications. The intercalation of emerging new materials can induce multiple intrinsic ch
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2410.10301
Memristors have been positioned at the forefront of the purposes for carrying out neuromorphic computation. Their tuneable conductivity properties enable the imitation of synaptic behaviour. Multipore nanofluidic memristors have shown their memristic
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2409.09327
Autor:
Lamprecht, Rouven, Vialetto, Luca, Gergs, Tobias, Zahari, Finn, Marquardt, Richard, Trieschmann, Jan, Kohlstedt, Hermann
This study presents a comprehensive examination of the development of TiN/SiO$_\mathrm{x}$/Cu/SiO$_\mathrm{x}$/TiN memristive devices, engineered for neuromorphic applications using a wedge-type deposition technique and Monte Carlo simulations. Ident
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2406.18998
Autor:
Bhakta, Sourav, Sahoo, Pratap K.
Both analog and digital resistive switching are essential components in the neuromorphic computing system. This work reports the influence of Cu ions for the transformation of analog to digital resistive switching in ITO/NiO/Ag memristor devices. The
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2407.14437
Autor:
Wang, Zexin
After more than a hundred years of development, ferroelectric materials have demonstrated their strong potential to people, and more and more ferroelectric materials are being used in the research of ferroelectric transistors (FeFETs). As a new gener
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2406.13946
Publikováno v:
Journal of Chemical Physics. 12/21/2024, Vol. 161 Issue 23, p1-10. 10p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.