Zobrazeno 1 - 10
of 37
pro vyhledávání: '"negative gate bias stress"'
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 78-83 (2023)
In this paper, we report the effect of post-gate metallization annealing on the performance of GaN-based High Electron Mobility Transistors (HEMTs). The performances of HEMTs annealed at 200 °C (HEMT1) and at 400 °C (HEMT2) for 5 minutes in N2 ambi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ba5d7f335eef4f758d3f19ef237336ce
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Energies, Vol 14, Iss 8, p 2170 (2021)
In this study, we investigate the degradation characteristics of E-mode GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) with a p-GaN gate by designed pulsed and prolonged negative gate (VGS) bias stress. Device transfer and transconductance, output, a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3a0e475b30e3477a864d145987df7239
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 4, Iss 5, Pp 347-352 (2016)
Amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO) thin film transistors (TFTs) were fabricated with an atomic-layer-deposited (ALD) SiO2 buffer layer between the a-IGZO channel and the Al2O3 dielectric. Compared with the TFTs with a single Al2O3 dielectric, the a-IGZO T
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/94f7dc31d6a247b6887d54ab377a6c0b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Energies; Volume 14; Issue 8; Pages: 2170
Energies, Vol 14, Iss 2170, p 2170 (2021)
Energies, Vol 14, Iss 2170, p 2170 (2021)
In this study, we investigate the degradation characteristics of E-mode GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) with a p-GaN gate by designed pulsed and prolonged negative gate (VGS) bias stress. Device transfer and transconductance, output, a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::656945cfed0a5ffc86139de5f9693de3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.