Zobrazeno 1 - 10
of 5 358
pro vyhledávání: '"negative bias temperature instability (NBTI)"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability December 2016 67:82-88
Autor:
Da Wang, Longda Zhou, Yongkang Xue, Pengpeng Ren, Zixuan Sun, Zirui Wang, Jianping Wang, Blacksmith Wu, Zhigang Ji, Runsheng Wang, Ru Huang
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 44:939-942
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::748b91d15319fbb46e3856d17f91b216
https://doi.org/10.1109/led.2023.3266361
https://doi.org/10.1109/led.2023.3266361
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ndiaye, Cheikh
L’avantage de cette architecture FDSOI par rapport à l’architecture Si-bulk est qu’elle possède une face arrière qui peut être utilisée comme une deuxième grille permettant de moduler la tension de seuil Vth du transistor. Pour améliorer
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2017AIXM0182/document
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability 2007 47(9):1416-1418