Zobrazeno 1 - 10
of 60
pro vyhledávání: '"near-threshold operation"'
Publikováno v:
Sensors, Vol 23, Iss 17, p 7498 (2023)
This paper presents an innovative approach for predicting timing errors tailored to near-/sub-threshold operations, addressing the energy-efficient requirements of digital circuits in applications, such as IoT devices and wearables. The method involv
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1060c2b4e6c64d4b8022c4357b020fda
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Low Power Electronics and Applications, Vol 3, Iss 2, Pp 54-72 (2013)
Ultra-low power applications often require several kb of embedded memory and are typically operated at the lowest possible operating voltage (VDD) to minimize both dynamic and static power consumption. Embedded memories can easily dominate the overal
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e256f175cbd74ae78d2cedf4a20d1024
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ming-Hwa Sheu, Jin-Fa Lin, Shih-Chang Hsia, Ya-Hsin Hsueh, S. M. Salahuddin Morsalin, Chang-Ming Tsai, Cheng-Jie Yang, Chuan-Yu Chang
Publikováno v:
Electronics, Vol 10, Iss 685, p 685 (2021)
Electronics
Volume 10
Issue 6
Electronics
Volume 10
Issue 6
To incur the memory interface and faster access of static RAM for near-threshold operation, a stable local bit-line static random-access memory (SRAM) architecture has been proposed along with the low-voltage pre-charged and negative local bit-line (
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5042eb8bee4baa04c8b711720b5c6a2f
https://doi.org/10.3390/electronics10060685
https://doi.org/10.3390/electronics10060685
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.