Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"nanowire orientation"'
Autor:
Karol Olszewski, Marta Sobanska, Vladimir G. Dubrovskii, Egor D. Leshchenko, Aleksandra Wierzbicka, Zbigniew R. Zytkiewicz
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 13, Iss 18, p 2587 (2023)
GaN nanowires grown on metal substrates have attracted increasing interest for a wide range of applications. Herein, we report GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on thin polycrystalline ZrN buffer layers, sputtered onto Si(
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/49bbfc4f6fe64ae9af2e98836ca6703f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Solid-State Electronics
Digibug. Repositorio Institucional de la Universidad de Granada
instname
Digibug. Repositorio Institucional de la Universidad de Granada
instname
We thoroughly compare the DC electrical behavior of n-MOS transistors based on Si nanowires with 〈 1 0 0 〉 and 〈 1 1 0 〉 channel orientations by means of Multi-Subband Ensemble Monte Carlo simulations. We find that the drain current depends o
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chung, Sung Hwan
Publikováno v:
Open Access Dissertations
Semiconductor nanowires synthesized via the vapor-liquid-solid (VLS) mechanism have attracted extensive research interest in recent years owing to their unique structure as a promising candidate for the future electronic devices. Germanium and silico
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______540::28427f700a7bd8a3470a2fc0c3053e42
http://docs.lib.purdue.edu/open_access_dissertations/2
http://docs.lib.purdue.edu/open_access_dissertations/2