Zobrazeno 1 - 10
of 359
pro vyhledávání: '"nanowire FET"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 7, p 1357 (2023)
This paper examines the performance of a Gate-Engineered Gate-All-Around Charge Plasma Nanowire Field Effect Transistor (GAA-DMG-GS-CP NW-FET) and the implementation of a common source (CS) amplifier circuit. The proposed GAA-DMG-GS-CP NW-FET incorpo
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/738e3558644a43f4a463561657abace5
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 400-408 (2021)
Three-Independent-Gate Field-Effect Transistors (TIGFETs) are a promising alternative technology that aims to replace or complement CMOS at advanced technology nodes. In this paper, we extracted the parasitic and intrinsic capacitances of a silicon-n
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ce9ad7328d474fedab9cfa4c4c81ea88
Publikováno v:
IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Vol 7, Iss 1, Pp 52-60 (2021)
Many-tier vertical gate-all-around nanowire FET (VFET) synthesis strongly demands a holistic approach of modeling/formulating/optimizing transistor placement and in-cell routing to obtain the maximum-achievable power, performance, area, and cost (PPA
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/99ac6712156c45b697ae5be580f4407a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Eunseon Yu, Baegmo Son, Byungmin Kam, Yong Sang Joh, Sangjoon Park, Won‐Jun Lee, Jongwan Jung, Seongjae Cho
Publikováno v:
ETRI Journal, Vol 41, Iss 6, Pp 829-837 (2019)
The p‐type nanowire field‐effect transistor (FET) with a SiGe shell channel on a Si core is optimally designed and characterized using in‐depth technology computer‐aided design (TCAD) with quantum models for sub‐10‐nm advanced logic techn
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/805c2fc8530d4402b99abdd3f57d621a
Autor:
Daniel Nagy, Guillermo Indalecio, Antonio J. Garcia-Loureiro, Gabriel Espineira, Muhammad A. Elmessary, Karol Kalna, Natalia Seoane
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 7, Pp 12790-12797 (2019)
Variability of semiconductor devices is seriously limiting their performance at nanoscale. The impact of variability can be accurately and effectively predicted by computer-aided simulations in order to aid future device designs. Quantum corrected (Q
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/333d34e54e304286a6e662d115e50c35
Publikováno v:
Biosensors, Vol 12, Iss 6, p 368 (2022)
In this paper, a potentiometric method is used for monitoring the concentration of glutamine in the bioprocess by employing silicon nanowire biosensors. Just one hydrolyzation reaction was used, which is much more convenient compared with the two-sta
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/978adf23db5441d4ac35d4ec560c89bd