Zobrazeno 1 - 10
of 115
pro vyhledávání: '"nanoporous GaN"'
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 13, p 1165 (2024)
The utilization of a nanoporous (NP) GaN fabricated by electrochemical etching has been demonstrated to be effective in the fabrication of a high-performance ultraviolet (UV) photodetector (PD). However, the NP-GaN PD typically exhibits a low light-d
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a48c1e7322a449ee9e5da045b1956568
Autor:
Nathan C. Palmquist, Ryan Anderson, Jared A. Kearns, Joonho Back, Emily Trageser, Stephen Gee, Steven P. Denbaars, Shuji Nakamura
Publikováno v:
Photonics, Vol 10, Iss 6, p 646 (2023)
We report long-cavity (60.5 λ) GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with a topside monolithic GaN concave mirror, a buried tunnel junction current aperture, and a bottomside nanoporous GaN distributed Bragg reflector. Under pulsed opera
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c6f17e539e6d41178bc2217321b4358d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yu-Ming Huang, Jo-Hsiang Chen, Yu-Hau Liou, Konthoujam James Singh, Wei-Cheng Tsai, Jung Han, Chun-Jung Lin, Tsung-Sheng Kao, Chien-Chung Lin, Shih-Chen Chen, Hao-Chung Kuo
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 11, Iss 10, p 2696 (2021)
Quantum dot (QD)-based RGB micro-LED technology is seen as one of the most promising approaches towards full color micro-LED displays. In this work, we present a novel nanoporous GaN (NP-GaN) structure that can scatter light and host QDs, as well as
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8da78b647bc046ec8ba3bad151469575
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nakamura, Nathan C. Palmquist, Ryan Anderson, Jared A. Kearns, Joonho Back, Emily Trageser, Stephen Gee, Steven P. Denbaars, Shuji
Publikováno v:
Photonics; Volume 10; Issue 6; Pages: 646
We report long-cavity (60.5 λ) GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with a topside monolithic GaN concave mirror, a buried tunnel junction current aperture, and a bottomside nanoporous GaN distributed Bragg reflector. Under pulsed opera
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=multidiscipl::52460c321b6ae89e104af051ef49697f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.