Zobrazeno 1 - 10
of 36
pro vyhledávání: '"nanocrystalline silicon p-layer"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Vacuum 27 April 2012 86(10):1477-1481
Autor:
Du, Wenhui, Liao, Xianbo, Yang, Xiesen, Povolny, Henry, Xiang, Xianbi, Deng, Xunming, Sun, Kai
Publikováno v:
In Solar Energy Materials and Solar Cells 2006 90(7):1098-1104
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Vacuum. 86:1477-1481
In this paper we report on flexible a-Si:H solar cells prepared on polyethylene naphthalate (PEN) substrates using p-type hydrogenated nanocrystalline silicon thin films (p-nc-Si:H) as the window layer. The p-nc-Si:H films were prepared at low temper
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::681da3a492f8034a0dc59a432484ccdd
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2012.01.011
https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2012.01.011
Publikováno v:
Solar Energy Materials and Solar Cells. 90:1098-1104
This paper describes an investigation into the impacts of hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) p-layer on the photovoltaic parameters, especially on the open-circuit voltage ( V oc ) of n–i–p type hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::819dad5573c97ca355ccab52c79532eb
https://doi.org/10.1016/j.solmat.2005.06.005
https://doi.org/10.1016/j.solmat.2005.06.005
Publikováno v:
Conference Record of the Thirty-first IEEE Photovoltaic Specialists Conference, 2005..
Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) single-junction solar cells with high open circuit voltage (V/sub oc/) are fabricated using a wide bandgap boron doped Si:H p-layer deposited at high hydrogen dilution, low substrate temperature and with H/sub
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2aed1743dfacef5dd63339b5f2bfd9c8
https://doi.org/10.1109/pvsc.2005.1488402
https://doi.org/10.1109/pvsc.2005.1488402
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.