Zobrazeno 1 - 10
of 1 256
pro vyhledávání: '"n-type silicon"'
Publikováno v:
Materials for Renewable and Sustainable Energy, Vol 14, Iss 1, Pp 1-9 (2024)
Abstract In the current work, the effect of the surface phase structure of silicon wafer on the copper assisted chemical etching (Cu-ACE) behavior was investigated by adopting N-type monocrystal silicon with different thickness as raw material. An in
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e04c67313c614092a09a46614aa564f3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Influence of Temperature on the Growth of Vertically Aligned ZnO Nanowires in Wet Oxygen Environment
Autor:
Basma ElZein, Numan Salah, Ahmad S. Barham, Ali Elrashidi, Mohammed Al Khatab, Ghassan Jabbour
Publikováno v:
Crystals, Vol 13, Iss 6, p 876 (2023)
The nanowires (NWs) of zinc oxide (ZnO) are developed effectively on an n-type silicon substrate through a seed zinc (Zn) layer by a wet oxidation technique. The growth is performed at different temperatures, 650, 750, and 850 °C, in a wet and rich
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b053937c7ea04c4d8d9bcff04d7e48a2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. I. Blesman, R. B. Burlakov
Publikováno v:
Омский научный вестник, Vol 1 (163), Pp 50-54 (2019)
Task of studies is a development of the structure and way of fabrication of a photocell capable to take a radiation or in near infrared range of the spectrum (0,9–1,4) micron, or in the field of (0,5–1,4) micron. Way of fabrication and results
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5583d6fd6a7b4e37a356daf03e7bab1e
Autor:
Andika Pandu Nugroho, Naufal Hanif Hawari, Bagas Prakoso, Andam Deatama Refino, Nursidik Yulianto, Ferry Iskandar, Evvy Kartini, Erwin Peiner, Hutomo Suryo Wasisto, Afriyanti Sumboja
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 11, Iss 11, p 3137 (2021)
Due to its high theoretical specific capacity, a silicon anode is one of the candidates for realizing high energy density lithium-ion batteries (LIBs). However, problems related to bulk silicon (e.g., low intrinsic conductivity and massive volume exp
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5158561ab94c406ca02ea8db514892bb
Publikováno v:
Cerâmica, Volume: 68, Issue: 388, Pages: 450-468, Published: 09 DEC 2022
Resumo Células solares com emissor e face posterior passivada (PERC, passivated emitter and rear cell) vêm dominando o mercado fotovoltaico em razão de seu processo de fabricação ser compatível com as linhas industriais que vinham sendo utiliza
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3a2c3c3470168a2ee19e9ed57e153cc1
http://www.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0366-69132022000400450&lng=en&tlng=en
http://www.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0366-69132022000400450&lng=en&tlng=en