Zobrazeno 1 - 10
of 90
pro vyhledávání: '"n region thickness"'
Modeling and optimization of GaN-based betavoltaic batteries: Comparison of p–n and p–i–n junctions.
Autor:
Chen, Ziyi, Zheng, Renzhou, Lu, Jingbin, Li, Xiaoyi, Wang, Yu, Zhang, Xue, Zhang, Yuehui, Cui, Qiming, Yuan, Xinxu, Zhao, Yang, Li, Haolin
Publikováno v:
AIP Advances; Aug2022, Vol. 12 Issue 8, p1-9, 9p
Publikováno v:
Revue de Physique Appliquée
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1987, 22 (7), pp.473-476. ⟨10.1051/rphysap:01987002207047300⟩
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1987, 22 (7), pp.473-476. ⟨10.1051/rphysap:01987002207047300⟩
Dans cet article, nous présentons l'influence de l'épaisseur de la région n, pour l'optimisation de la tenue en tension des structures planar avec un anneau de champ et en limitation de zone de charge d'espace. Les résultats ont été obtenus par
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fc46747aa58137c7e694988751837709
https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207047300
https://doi.org/10.1051/rphysap:01987002207047300
Publikováno v:
Chalcogenide Letters. Sep2023, Vol. 20 Issue 9, p629-637. 9p.
Autor:
Ganoub, M.1 pg.moustafa91710016@bue.edu.eg, Al-Saban, O.2 omar158071@bue.edu.eg, Abdellatif, S. O.2 Sameh.osama@bue.edu.eg, Kirah, K.3 khaled.kirah@eng.asu.edu.eg, Ghali, H. A.2 hani.amin@bue.edu.eg
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2023, Vol. 26 Issue 1, p114-119. 6p.
Publikováno v:
AIP Advances; Jun2024, Vol. 14 Issue 6, p1-10, 10p
Autor:
Ronningen, T. J., Kodati, S. H., Jin, X., Lee, S., Jung, H., Tao, X., Lewis, H. I. J., Schwartz, M., Gajowski, N., Martyniuk, P., Guo, B., Jones, A. H., Campbell, J. C., Grein, C., David, J. P. R., Krishna, S.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 9/25/2023, Vol. 123 Issue 13, p1-6, 6p
Autor:
Xu, Hengbin, Wang, Xiangfu
Publikováno v:
Physical Chemistry Chemical Physics (PCCP); 2/21/2023, Vol. 25 Issue 7, p5869-5877, 9p
Publikováno v:
Journal of Computational Electronics; Sep2016, Vol. 15 Issue 3, p1085-1094, 10p
Autor:
Ziyi Chen, Renzhou Zheng, Jingbin Lu, Xiaoyi Li, Yu Wang, Xue Zhang, Yuehui Zhang, Qiming Cui, Xinxu Yuan, Yang Zhao, Haolin Li
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 12, Iss 8, Pp 085112-085112-9 (2022)
Nuclear battery is a promising long-life power source. Selecting semiconductors with high limit efficiency and appropriate device structures effectively improves their output performance. In this work, a GaN-based (hexagonal) betavoltaic battery with
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ab1f7ad1af904f2d98aa17e9cfb787c8
Autor:
Bougoffa, Amira1 amirabougoffa@gmail.com, Trabelsi, Abdessalem1, Zouari, Abdelaziz1, Dhahri, Essebti1
Publikováno v:
Optical & Quantum Electronics. Jan2017, Vol. 49 Issue 1, p1-13. 13p.