Zobrazeno 1 - 10
of 257
pro vyhledávání: '"multilevel memory"'
Autor:
Mohammad Tauquir Alam Shamim Shaikh, Tan Hoang Vu Nguyen, Ho Jung Jeon, Chowdam Venkata Prasad, Kyong Jae Kim, Eun Seo Jo, Sangmo Kim, You Seung Rim
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 11, Iss 4, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract The electronic device, with its biocompatibility, biodegradability, and ease of fabrication process, shows great potential to embed into health monitoring and hardware data security systems. Herein, polyvinylpyrrolidone (PVP) biopolymer is p
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/553ec6a3144d4f4c80a3e25b843d1a31
Autor:
Peng Wang, Jie Li, Wuhong Xue, Wenjuan Ci, Fengxian Jiang, Lei Shi, Feichi Zhou, Peng Zhou, Xiaohong Xu
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 11, Iss 3, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract The development and application of artificial intelligence have led to the exploitation of low‐power and compact intelligent information‐processing systems integrated with sensing, memory, and neuromorphic computing functions. The 2D van
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2bd0a2952046419e8fb35f18b89cc691
Autor:
Mahima Chaudhary, Chenghao Xin, Zhelu Hu, Dongjiu Zhang, Guillaume Radtke, Xiangzhen Xu, Laurent Billot, Charlotte Tripon‐Canseliet, Zhuoying Chen
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 8, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract The development of field‐effect transistor‐based (FET‐based) non‐volatile optoelectronic memories is vital toward innovations necessary to improve computer systems. In this work, for the first time, the unique charge‐trapping and c
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/53825600bb1d4d2e85fca5b92608627b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jialing Wen, Wenhui Tang, Zhuo Kang, Qingliang Liao, Mengyu Hong, Junli Du, Xiankun Zhang, Huihui Yu, Haonan Si, Zheng Zhang, Yue Zhang
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 8, Iss 21, Pp n/a-n/a (2021)
Abstract Direct charge trapping memory, a new concept memory without any dielectric, has begun to attract attention. However, such memory is still at the incipient stage, of which the charge‐trapping capability depends on localized electronic state
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5215d621720e44169095931a42e993b6