Zobrazeno 1 - 10
of 1 730
pro vyhledávání: '"mos devices"'
Autor:
Olivier Richard, Ali Soltani, Rahma Adhiri, Ali Ahaitouf, Hassan Maher, Vincent Aimez, Abdelatif Jaouad
Publikováno v:
Results in Materials, Vol 24, Iss , Pp 100645- (2024)
Controlling properties of GaN/dielectric interfaces is crucial for determining the characteristics of MOS-HEMT devices and their stability. Interface properties are largely affected by the techniques and specific conditions of dielectric deposition.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2d40b276e8784715ab9bff4587614b66
Autor:
Rajan Kumar Pandey
Publikováno v:
Next Materials, Vol 5, Iss , Pp 100182- (2024)
The industrial drive towards smaller semiconductor devices is at less than 10 nano-meters. In the next few years a three-dimensional quantum confined device structure is expected. We have studied the electronic structure of hydrogen-like donor impuri
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/353c95ebc53a4246b131e5afcb12a248
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 2, p 229 (2024)
This paper thoroughly analyses the role of drift in the sensitive region in the single-event effect (SEE), with the aim of enhancing the single-particle radiation resistance of N-type metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). It p
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1c2209b3fa6d4004b1c71dbd5cf118e6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 13, Iss 19, p 2673 (2023)
In this work, a dual interfacial passivation layer (IPL) consisting of TaON/GeON is implemented in GaAs metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors with ZrTaON as a high-k layer to obtain superior interfacial and electrical properties. As compared to
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/28f9d1a9ee114d1a96d1caff4683cf59