Zobrazeno 1 - 10
of 126
pro vyhledávání: '"monolithic 3D integration"'
Autor:
Dongsu Kim, Heejae Jeong, Goeun Pyo, Su Jin Heo, Seunghun Baik, Seonhyoung Kim, Hong Soo Choi, Hyuk‐Jun Kwon, Jae Eun Jang
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 11, Iss 28, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract Ferroelectric field‐effect transistors (FeFETs) are increasingly important for in‐memory computing and monolithic 3D (M3D) integration in system‐on‐chip (SoC) applications. However, the high‐temperature processing required by most
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ba8fd90c58ac4508bb4d846e3c9db3b3
Autor:
Hao-Tung Chung, Yu-Ming Pan, Nein-Chih Lin, Bo-Jheng Shih, Chih-Chao Yang, Chang-Hong Shen, Huang-Chung Cheng, Kuan-Neng Chen
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 262-268 (2023)
This paper proposed a fabrication of p-type Germanium (Ge) tri-gate field-effect transistors (Tri-gate FETs) via green nanosecond laser crystallization (GNSLC) and counter doping (CD). By using the GNSLC, the nano-crystalline-Ge (nc-Ge) with a grain
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ef4cc10c6b1946188bd1a720f82eb48b
Autor:
Md. Aftab Baig, Cheng-Jui Yeh, Shu-Wei Chang, Bo-Han Qiu, Xiao-Shan Huang, Cheng-Hsien Tsai, Yu-Ming Chang, Po-Jung Sung, Chun-Jung Su, Ta-Chun Cho, Sourav De, Darsen Lu, Yao-Jen Lee, Wen-Hsi Lee, Wen-Fa Wu, Wen-Kuan Yeh
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 107-113 (2023)
Monolithic 3D stacking of complementary FET (CFET) SRAM arrays increases integration density multi-fold while supporting the inherent SRAM advantages of low write power and near-infinite endurance. We propose stacking multiple 8-transistor CFET-SRAM
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/71ecc867419a46bfb68015417da2ac79
Autor:
Chenwei Fan, Xiaohan Cheng, Lin Xu, Maguang Zhu, Sujuan Ding, Chuanhong Jin, Yunong Xie, Lian‐Mao Peng, Zhiyong Zhang
Publikováno v:
InfoMat, Vol 5, Iss 7, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract Carbon nanotube field‐effect transistors (CNT FETs) have been demonstrated to exhibit high performance only through low‐temperature fabrication process and require a low thermal budget to construct monolithic three‐dimensional (M3D) in
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2aec10621aeb4a9ba4cc87ec4ec5e935
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ji Heon Lee, Young Seo Lee, Jeong Hwan Choi, Hussam Amrouch, Joonho Kong, Young-Ho Gong, Sung Woo Chung
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 120715-120729 (2021)
Monolithic 3D (M3D) integration reduces the wire length, which eventually improves energy efficiency and performance compared to 2D integration. However, 3D integration inevitably causes higher on-chip temperature compared to 2D integration due to th
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/20989edb02404bf5b3bc606e07969682
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.