Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"molecuar beam epitaxy"'
Autor:
Pielić, Borna
Thinning of transition metal dichalcogenides (TMDs) to monolayer variants is followed by tuning their electronic properties, which is interesting from the perspective of application and fundamental research. In order to prepare 2D TMDs and investigat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e63847552f8e32612d59cdf614ac81ba
https://repozitorij.pmf.unizg.hr/islandora/object/pmf:10297/datastream/PDF
https://repozitorij.pmf.unizg.hr/islandora/object/pmf:10297/datastream/PDF
Publikováno v:
Journal of crystal growth 437 (2016): 59–62. doi:10.1016/j.jcrysgro.2015.03.056
info:cnr-pdr/source/autori:Hussain, S.; Pozzato, A.; Tormen, M.; Zannier, V.; Biasiol, G./titolo:III-V site-controlled quantum dots on Si patterned by nanoimprint lithography/doi:10.1016%2Fj.jcrysgro.2015.03.056/rivista:Journal of crystal growth/anno:2016/pagina_da:59/pagina_a:62/intervallo_pagine:59–62/volume:437
info:cnr-pdr/source/autori:Hussain, S.; Pozzato, A.; Tormen, M.; Zannier, V.; Biasiol, G./titolo:III-V site-controlled quantum dots on Si patterned by nanoimprint lithography/doi:10.1016%2Fj.jcrysgro.2015.03.056/rivista:Journal of crystal growth/anno:2016/pagina_da:59/pagina_a:62/intervallo_pagine:59–62/volume:437
We have successfully grown regular arrays of InAs/GaAs quantum dots on patterned Si substrates. Thanks to the capability of nanoimprint lithography, we were able to obtain uniform patterns extended over some cm(2) areas, with periods of 300 nm. Ex-si
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::90aafa747e2a335e384cc54475719566
Autor:
Stefano Sanguinetti, Andrea Scaccabarozzi, Emanuele Grilli, Sergio Bietti, Claudio Somaschini
Publikováno v:
Crystal Growth & Design. 12:1180-1184
Complex GaAs/AlGaAs nanostructures, constituted by a quantum dot sitting on a quantum disk, are fabricated. This was made possible by droplet epitaxy growth technique which allows for fine control of the crystallization kinetics, by means of As flux
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e17a5f9f25c57cf16354d82a5c1149eb
https://doi.org/10.1021/cg201153d
https://doi.org/10.1021/cg201153d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.