Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"modeling contact effects"'
Autor:
Markus Krammer, James W. Borchert, Andreas Petritz, Esther Karner-Petritz, Gerburg Schider, Barbara Stadlober, Hagen Klauk, Karin Zojer
Publikováno v:
Crystals, Vol 9, Iss 2, p 85 (2019)
The thin-film transistor (TFT) is a popular tool for determining the charge-carrier mobility in semiconductors, as the mobility (and other transistor parameters, such as the contact resistances) can be conveniently extracted from its measured current
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9cf684fb40d442aebd79a33804b0165f
In this work, we propose an unified compact model, which includes the effects of both source and drain contact regions, to describe the electrical characteristics of staggered thin film transistors (TFTs). The model is based on a generic drift analyt
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c9667f4087ba7a9974d4f438e109dec8
https://hdl.handle.net/10481/77759
https://hdl.handle.net/10481/77759
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.