Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"minimum power input control"'
Publikováno v:
Energies, Vol 14, Iss 8, p 2302 (2021)
In this study, we implemented a depletion (D)-mode gallium nitride high electron mobility transistor (GaN HEMT, which has the advantage of having no body diode) in a class-E amplifier. Instead of applying a zero voltage switching control, which requi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/415d255315064e7abb4ae43b88f2b90f
Publikováno v:
Energies, Vol 14, Iss 2302, p 2302 (2021)
Energies; Volume 14; Issue 8; Pages: 2302
Energies; Volume 14; Issue 8; Pages: 2302
In this study, we implemented a depletion (D)-mode gallium nitride high electron mobility transistor (GaN HEMT, which has the advantage of having no body diode) in a class-E amplifier. Instead of applying a zero voltage switching control, which requi
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.