Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"minimum energy operation"'
Publikováno v:
IPSJ Transactions on System LSI Design Methodology. 12:2-12
In the quest of operating a circuit at its minimum energy, both of the design-time and run-time optimizations are being employed aggressively in mobile devices today. This paper overviews some of the energy reduction techniques and highlights the rol
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Massimo Alioto, David Esseni
Publikováno v:
SBCCI
In this paper, the potential of Tunnel FETs (TFETs) for ultra-low power operation is investigated in the context of digital circuits operating below 500 mV. A comparative analysis of TFETs and SOI CMOS in 32 nm technology is performed through device-
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jani Makipaa, Olivier Billoint
Publikováno v:
ISCAS
Mäkipää, J & Billoint, O 2013, FDSOI versus BULK CMOS at 28 nm node which technology for ultra-low power design? in 2013 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS2013) . IEEE Institute of Electrical and Electronic Engineers, pp. 554-557, IEEE International Symposium on Circuits and Systems, ISCAS 2013, Beijing, China, 19/05/13 . https://doi.org/10.1109/ISCAS.2013.6571903
Mäkipää, J & Billoint, O 2013, FDSOI versus BULK CMOS at 28 nm node which technology for ultra-low power design? in 2013 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS2013) . IEEE Institute of Electrical and Electronic Engineers, pp. 554-557, IEEE International Symposium on Circuits and Systems, ISCAS 2013, Beijing, China, 19/05/13 . https://doi.org/10.1109/ISCAS.2013.6571903
Compared to BULK CMOS, FDSOI (Fully-Depleted Silicon-On-Insulator) introduces an ultra-thin buried oxide (BOX) layer and a dopant-free channel, which provides better performance and enhances ultra-low power (ULP) operation. To investigate benefits of
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.