Zobrazeno 1 - 10
of 2 603
pro vyhledávání: '"metalorganic chemical vapor deposition"'
Publikováno v:
Applied Surface Science Advances, Vol 24, Iss , Pp 100661- (2024)
This study successfully grew ꞵ-Ga2O3 epitaxial films on silicon carbide substrates by metalorganic chemical vapor deposition and fabricated vertical Schottky barrier diodes (SBDs), which were annealed in a high temperature furnace. The high surface
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3342eba122e74e9f936ae749b19bb002
Autor:
Arun Kumar Dhasiyan, Frank Wilson Amalraj, Swathy Jayaprasad, Naohiro Shimizu, Osamu Oda, Kenji Ishikawa, Masaru Hori
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 14, Iss 1, Pp 1-18 (2024)
Abstract Using our recently developed radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD) technique, we have grown gallium nitride (GaN) on bulk GaN and GaN on Si templates. Three features make up this system: (1) applying very high-fre
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/92d0d66c5aa24cb99c6eaaf75013cf14
Autor:
Siddharth Rana, Shang-Jui Chiu, Chih-Yang Huang, Fu-Gow Tairtan, Yan-Gu Lin, Dong-Sing Wuu, Jitendra Pratap Singh, Guang-Cheng Su, Po-Liang Liu, Ray-Hua Horng
Publikováno v:
Materials Today Advances, Vol 19, Iss , Pp 100411- (2023)
In this work, we have fabricated a highly sensitive direct irradiating X-ray photodetector (DXPD) based on Zinc Gallium Oxide (ZnGa2O4) epilayers with a metal-semiconductor-metal structure. The ZnGa2O4 epilayers were grown on a c-plane sapphire subst
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/265b8d15b4c1427a9b9b2394d608e4c0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ray-Hua Horng, Apoorva Sood, Siddharth Rana, Niall Tumity, Fu-Gow Tarntair, Catherine Langpoklakpam, Hao-Chung Kuo, Jitendra Pratap Singh
Publikováno v:
Materials Today Advances, Vol 18, Iss , Pp 100382- (2023)
Conductive β-Ga2O3 epilayers grown on the sapphire substrate using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) were studied by Si-ion implanted. A metal-insulator-semiconductor diode (MISD) was fabricated using undoped and Si implanted β-Ga2O3 e
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0d69f1ce032f407fa9737c2e60b4de92
Autor:
HoSung Kim, Tae‐Soo Kim, Shinmo An, Duk‐Jun Kim, Kap Joong Kim, Young‐Ho Ko, Joon Tae Ahn, Won Seok Han
Publikováno v:
ETRI Journal, Vol 43, Iss 5, Pp 909-915 (2021)
AbstractGaAs on Si grown via metalorganic chemical vapor deposition is demonstrated using various Si substrate thicknesses and three types of dislocation filter layers (DFLs). The bowing was used to measure wafer‐scale characteristics. The surface
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/72be7bba276049bc8c75f5612473a943
Autor:
Ray-Hua Horng, Dong-Sing Wuu, Po-Liang Liu, Apoorva Sood, Fu-Gow Tarntair, Yu-Hsuan Chen, Singh Jitendra Pratap, Ching-Lien Hsiao
Publikováno v:
Materials Today Advances, Vol 16, Iss , Pp 100320- (2022)
In this study, monoclinic gallium oxide (β-Ga2O3) epilayer was successfully grown on c-plane, (0001), sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) with interplaying growth temperature, TEGa flow rate, and growth time. X-ray d
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0fc5075e7af340b3a8dc33451385305b