Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Plasma-etched pattern transfer of sub-10 nm structures using a metal–organic resist and helium ion beam lithography

Autor: Grigore A. Timco, Richard E. P. Winpenny, Jarvis Li, Axel Scherer, Matthew S. Hunt, Hayden R. Alty, Stephen G. Yeates, Alex Wertheim, Scott M. Lewis, Lucia B. De Rose, Guy A. DeRose

Publikováno v: Lewis, S M, Hunt, M, Derose, G, Alty, H, Li, J, Wertheim, A, Derose, L, Timco, G A, Scherer, A, Yeates, S G & Winpenny, R E P 2019, ' Plasma-etched pattern transfer of sub-10 nm structures using a metal–organic resist and helium ion beam lithography ', Nano Letters . https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.9b01911

Field-emission devices are promising candidates to replace silicon fin field-effect transistors as next-generation nanoelectronic components. For these devices to be adopted, nanoscale field emitters with nanoscale gaps between them need to be fabric

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::50f008c97f1d4ff941dee0b4218d4f12
https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.9b01911

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.