Zobrazeno 1 - 10
of 3 940
pro vyhledávání: '"metal organic chemical vapour deposition (MOCVD)"'
Autor:
Cosham, Samuel D.1, Richards, Stephen P.1, Manning, Troy2, Hill, Michael S.1 m.s.hill@bath.a.cuk, Johnson, Andrew L.1 a.l.johnson@bath.ac.uk, Molloy, Kieran C.1
Publikováno v:
European Journal of Inorganic Chemistry. 4/3/2017, Vol. 2017 Issue 13, p1868-1876. 9p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Acta Materialia 2004 52(13):3949-3957
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 3, Iss 9, Pp 092123-092123-7 (2013)
The quality of germanium (Ge) epitaxial film grown directly on a silicon (Si) (001) substrate with 6° off-cut using conventional germane precursor in a metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) system is studied. The growth sequence consists
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1dd0f075e144463192536f6992004545
Publikováno v:
In Electrochimica Acta 2001 46(19):2961-2966
Publikováno v:
Vacuum. 155:408-411
We have synthesized ZnO tubes, without any catalyst, on Al2O3 (001) substrates by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) at different growth temperatures, pressures and Zn-O ratios. The results confirm that the growth temperature, reactor pr
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1999 204(1):91-96
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.