Zobrazeno 1 - 10
of 45
pro vyhledávání: '"memristor modeling"'
Autor:
Karol Bednarz, Bartłomiej Garda
Publikováno v:
Energies, Vol 17, Iss 21, p 5400 (2024)
This study systematically addresses the challenge of accurately modeling memristors, focusing on four distinct types doped with tungsten, tin, chromium, and carbon, fabricated by Knowm Inc. A comprehensive characterization is performed by subjecting
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e0a37738f64845f2b62ac7860d398e8b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Sensors, Vol 22, Iss 15, p 5785 (2022)
As two-terminal passive fundamental circuit elements with memory characteristics, memristors are promising devices for applications such as neuromorphic systems, in-memory computing, and tunable RF/microwave circuits. The increasingly complex electro
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/386b1329516b4d7796f459deed69ebfe
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bartłomiej Garda
Publikováno v:
Energies, Vol 14, Iss 21, p 7264 (2021)
In this paper, the problem of modeling memristors is studied. Two types of memristors with carbon and tungsten doping fabricated by the Knowm Inc. are tested. The memristors have been examined with either sinusoidal or triangle voltage wave periodic
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/54abe90ef3024ab2bc3fa85a57c0c3ef
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Radioengineering, Vol 24, Iss 2, Pp 384-392 (2015)
This work presents a continuous and differentiable approximation of a Tantalum oxide memristor model which is suited for robust numerical simulations in software. The original model was recently developed at Hewlett Packard labs on the basis of exper
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/62d6a06bb8024debabc66494a4bbde72
Autor:
R. Picos, J.B. Roldan, M.M. Al Chawa, P. Garcia-Fernandez, F. Jimenez-Molinos, E. Garcia-Moreno
Publikováno v:
Radioengineering, Vol 24, Iss 2, Pp 420-424 (2015)
We have measured the transition process from the high to low resistivity states, i.e., the reset process of resistive switching based memristors based on Ni/HfO2/Si-n+ structures, and have also developed an analytical model for their electrical chara
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ff6322dba6fa428a8e902ba67461a8da
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.