Zobrazeno 1 - 10
of 3 897
pro vyhledávání: '"memory cell"'
Autor:
Xu, Zhuo a, Yuan, Zhengping a, Zhang, Xue a, Xu, Zhengde a, Qiao, Yixiao a, Yang, Yumeng a, b, Zhu, Zhifeng a, b, ⁎
Publikováno v:
In Journal of Magnetism and Magnetic Materials 1 December 2024 611
Publikováno v:
EAI Endorsed Transactions on Energy Web, Vol 11 (2024)
Single event upsets (SEUs), which are caused by radiation particles, have emerged as a significant concern in aircraft applications. Soft mistakes, which manifest as corruption of data in memory chips and circuit faults, are mostly produced by SEUs.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7e9d14d65a624888894792843c180d78
Publikováno v:
Frontiers in Immunology, Vol 14 (2023)
IntroductionHLA-DO (DO) is an accessory protein that binds DM for trafficking to MIIC and has peptide editing functions. DO is mainly expressed in thymic medulla and B cells. Using biochemical experiments, our lab has discovered that DO has different
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8bcb31636e1d43089893cd81bea60a04
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Ain Shams Engineering Journal, Vol 14, Iss 4, Pp 101917- (2023)
The aim of this study was to virtual fabricate and characterize a Floating-gate MOS transistor of the 65 nm process. The fabrication process was designed and characterized using the TCAD Silvaco tools. In our work, a detailed flow and the parameters
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5023e4eeaebc412c8eb35bddc6faf8e3
Autor:
Jara J. Joedicke, Ulrich Großkinsky, Kerstin Gerlach, Annette Künkele, Uta E. Höpken, Armin Rehm
Publikováno v:
Molecular Therapy: Methods & Clinical Development, Vol 24, Iss , Pp 181-198 (2022)
The advent of CAR T cells targeting CD19 or BCMA on B cell neoplasm demonstrated remarkable efficacy, but rapid relapses and primary refractoriness remains challenging. A leading cause of CAR T cell failure is their lack of expansion and limited pers
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8e9ad936d0d54e4e84ce45152511eebf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
D. A. Abdullaev, R. A. Milovanov, R. L. Volkov, N. I. Borgardt, A. N. Lantsev, K. A. Vorotilov, A. S. Sigov
Publikováno v:
Российский технологический журнал, Vol 8, Iss 5, Pp 44-67 (2020)
Semiconductor industry calls for emerging memory, demonstrating high speed (like SRAM or DRAM), nonvolatility (like Flash NAND), high endurance and density, good scalability, reduced energy consumption and reasonable cost. Ferroelectric memory FRAM h
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/52c68c3244374809bef65525df2292a2