Zobrazeno 1 - 10
of 525
pro vyhledávání: '"memory array"'
Autor:
Li Chen, Chen Liu, Hock Koon Lee, Binni Varghese, Ronald Wing Fai Ip, Minghua Li, Zhan Jiang Quek, Yan Hong, Weijie Wang, Wendong Song, Huamao Lin, Yao Zhu
Publikováno v:
Materials, Vol 17, Iss 3, p 627 (2024)
In this work, 10 nm scandium-doped aluminum nitride (AlScN) capacitors are demonstrated for the construction of the selector-free memory array application. The 10 nm Al0.7Sc0.3N film deposited on an 8-inch silicon wafer with sputtering technology exh
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/58a0a0e1fe74441aaef1bd343d92f168
Autor:
Hyangwoo Kim, Hyeonsu Cho, Hyeon-Tak Kwak, Myunghae Seo, Seungho Lee, Byoung Don Kong, Chang-Ki Baek
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 17, Iss 1, Pp 1-8 (2022)
Abstract Three-terminal (3-T) thyristor random-access memory is explored for a next-generation high-density nanoscale vertical cross-point array. The effects of standby voltages on the device are thoroughly investigated in terms of gate–cathode vol
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6e48b3baf9e649938c51fe0412e89b93
Publikováno v:
IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Vol 8, Iss 2, Pp 84-92 (2022)
In the post Moore era, post-complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) technologies have received intense interests for possible future digital logic applications beyond the CMOS scaling limits. In the meantime, from the system perspective, n
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2daa069e8aad4af4b6378a7f9c05c1bd
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 6, p 1138 (2023)
Challenges in scaling dynamic random-access memory (DRAM) have become a crucial problem for implementing high-density and high-performance memory devices. Feedback field-effect transistors (FBFETs) have great potential to overcome the scaling challen
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/dd6fbd9d96d146ba99d2022bb4d8b7ad
Autor:
Evelyn T. Breyer, Halid Mulaosmanovic, Jens Trommer, Thomas Melde, Stefan Dunkel, Martin Trentzsch, Sven Beyer, Stefan Slesazeck, Thomas Mikolajick
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 748-756 (2020)
Due to their CMOS compatibility, hafnium oxide based ferroelectric field-effect transistors (FeFET) gained remarkable attention recently, not only in the context of nonvolatile memory applications but also for being an auspicious candidate for novel
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/649587937bf34c2a8df0201a7564680f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Low Power Electronics and Applications, Vol 11, Iss 1, p 4 (2021)
Floating-gate (FG) transistors are a primary means of providing nonvolatile digital memory in standard CMOS processes, but they are also key enablers for large-scale programmable analog systems, as well. Such programmable analog systems are often des
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7234ed8b47cf44abbab5f903887a8c60
Memory circuits such as static random-access memory (SRAM) and dynamic random-access memory (DRAM) form an integral part of system design and contribute significantly to system-level power consumption. Memory operating speeds and power dissipation ha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2659::3467fde51a55fb8392399a7828b9e465
https://zenodo.org/record/8027608
https://zenodo.org/record/8027608
