Zobrazeno 1 - 10
of 25
pro vyhledávání: '"mbe regrowth"'
In this paper, we report the fabrication of a normally-off AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) using an ultra-thin AlGaN barrier layer structure on Si (111) substrate. Additional AlGaN layers were selectively regrown only on the ohmic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c9c61c8a1506070c43133bce0a99b80b
https://doi.org/10.1088/1361-6641/abecab
https://doi.org/10.1088/1361-6641/abecab
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
W. Schlaak, W. Passenberg
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 173:266-270
MBE regrowth on MOVPE grown InP and InGaAsP (1.06 μm) layers was found to demand appropriate surface treatment for not sacrificing epitaxial growth performance. Wet chemical etching using a sulphuric acid based solution as well as surface oxidation
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b096a25d075aaaad6e97094e835b88f2
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(96)00848-2
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(96)00848-2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
G. Unterborsch, R. Steingruber, A. Seeger, W. Schlaak, Heinz-Gunter Bach, E. Droge, André Strittmatter, Andreas Umbach, T. Engel, E.H. Bottcher, W. Passenberg, Dieter Bimberg, G.C. Mekonnen
We report on the successful monolithic integration of an InP-based photoreceiver operating in the narrow band around 38 GHz at a wavelength of 1.55 /spl mu/m, The optoelectronic integrated circuit (OEIC) incorporates two types of high-speed devices,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6c57a97e3a2ebfdd620356dc22173a62
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/193915
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/193915
Fabrication of a prototype Ga0.47In0.53As/Al0.48In0.52As/InP double heterojunction bipolar transistor employing an embedded n+/n--InP:Si subcollector/collector region in an otherwise semi-insulating InP:Fe substrate was studied. The basic layer struc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::9b7ef4e68a579c682b3ae029f9d18840
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/193902
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/193902
MBE regrowth on AlGaInAs surfaces structured with DFB gratings has been studied. As a crucial process, in-situ hydrogen radical processing established as a basic in-situ surface cleaning technique has been used, and appropriate process parameters hav
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::dd5e5aa4f7077720686db175d5be9448
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/191751
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/191751
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.