Zobrazeno 1 - 10
of 134
pro vyhledávání: '"magnetoresistive effect"'
Publikováno v:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences: Technical Sciences, Vol 68, Iss No. 2 (i.a. Special Section on Computational Intelligence in Communications), Pp 361-366 (2020)
The hierarchical structure of InSe> composition with 4-fold grade expansion was synthesized with the intercalation-deintercalation technique. Electrical properties of the structure obtained were examined using impedance and thermostimulated current s
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c64bb6c6f83d4f028ec44d5791ecf3e5
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 12, Iss 20, p 3667 (2022)
The influence of processing on the martensitic transformation and related magnetic properties of the Ni55Fe18Nd2Ga25 ferromagnetic shape memory alloy, as bulk and ribbons prepared by the melt spinning method and subjected to different thermal treatme
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7a59ba5e4d3749ed846c0cb5242ca32d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Sensors, Vol 21, Iss 17, p 5785 (2021)
The article presents the results of experimental studies of multilayer nanostructures of magnetic straintronics formed by magnetron sputtering on a 100 mm silicon wafer. The object of the study is two types of nanostructures: Ta/FeNiCo/CoFe/Ta and Ta
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0d74386792274855b0499215603f3b26
Autor:
Oleg Polyakov, Vladimir Amelichev, Dmitry Zhukov, Dmitry Vasilyev, Sergey Kasatkin, Peter Polyakov, Dmitry Kostyuk
Publikováno v:
Sensors, Vol 21, Iss 6, p 2118 (2021)
Spin-dependent tunneling structures are widely used in many spintronic devices and sensors. This paper describes the magnetic tunnel junction (MTJ) characteristics caused by the inhomogeneous magnetic field of ferromagnetic layers. The extremely obla
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f7ff44637f844b9ca5e5baa5d86761a7
Представлен разработанный контрольно-измерительный стенд для исследования магниторезистивных наноструктур с магнитострикционным эф
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2f50d2f5bac09550f05ee1eb034611e2
Publikováno v:
Micromachines, Vol 11, Iss 4, p 422 (2020)
A novel micromachined z-axis torsional accelerometer based on the tunneling magnetoresistive effect is presented in this paper. The plane main structure bonded with permanent magnetic film is driven to twist under the action of inertial acceleration,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/97d805357bd84e989842f777eed18f26
Publikováno v:
Micromachines, Vol 10, Iss 2, p 158 (2019)
This paper presents the design, simulation, fabrication and experiments of a micromachined z-axis tunneling magnetoresistive accelerometer with electrostatic force feedback. The tunneling magnetoresistive accelerometer consists of two upper different
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/66c3d7a576574e309f43b722886de8c9
В данной работе рассмотрены основные принципы работы магнитных датчиков. Классификация магнитных датчиков. Проведен обзор магнитных д
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5d32d78fbbcf7a25292f0a24aa6404d2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.