Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"low-resistance SiC substrate"'
Autor:
Yu-Chun Huang, Hsien-Chin Chiu, Hsuan-Ling Kao, Hsiang-Chun Wang, Chia-Hao Liu, Chong-Rong Huang, Si-Wen Chen
Publikováno v:
Micromachines, Vol 12, Iss 5, p 509 (2021)
Efficient heat removal through the substrate is required in high-power operation of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs). Thus, a SiC substrate was used due to its popularity. This article reports the electrical characteristics of nor
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b8b5f752cffc44528d480ef4a10bf827
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.